Documents dont l'auteur est "Beaudoin, M."

Réseau de collaboration

Veuillez patienter

Aide

Ce graphique trace les liens entre tous les collaborateurs des publications de {} figurant sur cette page.

Chaque lien représente une collaboration sur la même publication. L'épaisseur du lien représente le nombre de collaborations.

Utilisez la molette de la souris ou les gestes de défilement pour zoomer à l'intérieur du graphique.

Vous pouvez cliquer sur les noeuds et les liens pour les mettre en surbrillance et déplacer les noeuds en les glissant.

Enfoncez la touche "Ctrl" ou la touche "⌘" en cliquant sur les noeuds pour ouvrir la liste des publications de cette personne.

A

Ababou, Y., Desjardins, P., Chennouf, A., Masut, R. A., Yelon, A., Beaudoin, M., Bensaada, A., Leonelli, R., & L'Espérance, G. (1997). Optical absorption and determination of band offset in strain-balanced GaInP/InAsP multiple quantum wells grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Semiconductor Science and Technology, 12(5), 550-554. Lien externe

Arsenault, C. J., Meunier, M., Beaudoin, M., & Movaghar, B. (1991). Electronic transport through a-Si:H/a-SiNₓ:H single and double barrier structures. Journal of Non-Crystalline Solids, 137-138, 1111-1114. Lien externe

Arsenault, C. J., Meunier, M., Beaudoin, M., & Movaghar, B. (1991). Perpendicular transport ina-Si:H/a-SiNₓ:H single- and double-barrier structures. Physical Review B, 44(20), 11521-11524. Lien externe

B

Beaudoin, M., Desjardins, P., Yip, R. Y.-F., & Masut, R. A. (2000). Optical and structural properties of InAsP/In(Ga)P multilayers on InP(001): Strained-layer multiple quantum well structures and devices. Dans Manasreh, M. O. (édit.), InP and related compounds : materials, applications and devices . Lien externe

Beaudoin, M., Desjardins, P., Aït-Ouali, A., Brebner, J. L., Yip, R. Y. F., Marchand, H., Isnard, L., & Masut, R. A. (2000). Optical properties and heterojunction band alignment in fully coherent strain-compensated InAsₓP₁₋ₓ /GayIn₁₋yP multilayers on InP(001). Journal of Applied Physics, 87(5), 2320-2326. Lien externe

Beaudoin, M., Bensaada, A., Leonelli, R., Desjardins, P., Masut, R. A., Isnard, L., Chennouf, A., & L'Espérance, G. (1996). Self-consistent determination of the band offsets in InAsₓP₁₋ₓ/InP strained layer quantum wells and the bowing parameter of bulk InAsₓP₁₋ₓ. Physical review. B, Condensed matter, 53(4), 1990-1996. Lien externe

Beaudoin, M., Masut, R. A., Isnard, L., Desjardins, P., Bensaada, A., L'Espérance, G., & Leonelli, R. (novembre 1994). Band offsets of InAsxP₁₋x/InP strained layer quantum wells grown by LP-MOVPE using TBAs [Communication écrite]. Microcrystalline and nanocrystalline semiconductors : Symposium F of the 1994 Fall Meeting of the Materials Research Society, Boston, USA. Lien externe

Bensaada, A., Suys, M., Beaudoin, M., Desjardins, P., Isnard, L., Masut, R. A., Cochrane, R. W., Currie, J. F., & L'Espérance, G. (juin 1995). LP-MOVPE growth and characterization of InₓGa₁₋ₓAs/InP epilayers and multiple quantum wells using tertiarybutylarsine [Communication écrite]. 6th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and related growth techniques, Ghent, Belgium. Non disponible

Beaudoin, M., Meunier, M., & Arsenault, C. J. (1993). Blueshift of the optical band gap: Implications for the quantum confinement effect ina-Si:H/a-SiNₓ:H multilayers. Physical Review B, 47(4), 2197-2202. Lien externe

Beaudoin, M., Meunier, M., Muschik, T., Schwarz, R., Arsenault, C. J., Beaulieu, M., & Grimal, O. (août 1992). Interfaces effectives et pentes d'Urbach de multicouches a-Si:H/a-SiNₓ:H [Effective interfaces and Urbach slope in a-Si:H/a-SiNₓ:H multilayers]. [Communication écrite]. 6e Conférence canadienne sur la technologie des semiconducteurs, Ottawa, Ontario. Publié dans Canadian Journal of Physics, 70(10-11). Lien externe

Beaudoin, M., Arsenault, C. J., & Meunier, M. (1991). On the blue-shift of the optical bandgap of a-Si:H/a-SiNₓ:H multilayer structures. Journal of Non-Crystalline Solids, 137-138, 1099-1102. Lien externe

Beaudoin, M., Arsenault, C. J., Izquierdo, R., & Meunier, M. (1989). Interface study of hydrogenated amorphous silicon nitride on hydrogenated amorphous silicon by X-ray photoelectron spectroscopy. Applied Physics Letters, 55(25), 2640-2640. Lien externe

D

Desjardins, P., Beaudoin, M., Leonelli, R., L'Espérance, G., & Masut, R. A. (1996). Structural and optical properties of strain-relaxed InAsP/InP heterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy on InP(001) using tertiarybutylarsine. Journal of Applied Physics, 80(2), 846-852. Lien externe

G

Guillon, S., Yip, R. Y.-F., Desjardins, P., Chicoine, M., Bougrioua, Z., Beaudoin, M., Aït-Ouali, A., & Masut, R. A. (1998). Low-pressure organometallic vapor phase epitaxy of coherent InGaAsP/InP and InGaAsP/InAsP multilayers on InP(001). Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 16(2), 781-785. Lien externe

W

Wang, F., Schwarz, R., Beaudoin, M., & Meunier, M. (1992). Electron and hole μτ-products in a-Si:H/a-SiNₓ:H multilayers. Superlattices and Microstructures, 12(4), 549-552. Lien externe

Y

Yip, R. Y. F., Ait Ouali, A., Bensaada, A., Desjardins, P., Beaudoin, M., Isnard, L., Brebner, J. L., Currie, J. F., & Masut, R. A. (1997). Erratum: Strain and relaxation effects in InAsP/InP multiple quantum well optical modulator devices grown by metal-organic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 82(12), 6372-6372. Lien externe

Yip, R. Y.-F., Aït-Ouali, A., Bensaada, A., Desjardins, P., Beaudoin, M., Isnard, L., Brebner, J. L., Currie, J. F., & Masut, R. A. (1997). Strain and relaxation effects in InAsP/InP multiple quantum well optical modulator devices grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 81(4), 1905-1915. Lien externe

Z

Zhao, Y. G., Zou, Y. H., Huang, X. L., Wang, J. J., Qin, Y. D., Masut, R. A., & Beaudoin, M. (1998). Differential Reflection Dynamics in InAsₓP₁₋ₓ/InP (x≤0.35) Strained-Multiple-Quantum Wells. Journal of Applied Physics, 83(8), 4430-4435. Lien externe

Zhao, Y. G., Qin, Y. D., Huang, X. L., Wang, J. J., Zou, Y. H., Masut, R. A., & Beaudoin, M. (1998). Photoexcited Carrier Diffusion Dependence of Differential Reflection Dynamics in InAsₓP₁₋ₓ/InP (x≤0.35) Strained- Multiple-Quantum Wells. Solid State Communications, 105(6), 393-397. Lien externe