Electronic transport through a-Si:H/a-SiNₓ:H single and double barrier structures

C. J. Arsenault, Michel Meunier, M. Beaudoin, B. Movaghar

Article de revue (1991)

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Département:
Département de génie physique
Unité de recherche:
GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
Adresse URL de PolyPublie:
https://publications.polymtl.ca/35685/
Titre de la revue :
Journal of Non-Crystalline Solids ( vol. 137-138 )
Maison d'édition:
Elsevier
DOI:
10.1016/s0022-3093(05)80317-5
URL officielle:
https://doi.org/10.1016/s0022-3093%2805%2980317-5
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:35685
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:26
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:25
Citer en APA 7:
Arsenault, C. J., Meunier, M., Beaudoin, M., & Movaghar, B. (1991). Electronic transport through a-Si:H/a-SiNₓ:H single and double barrier structures. Journal of Non-Crystalline Solids, 137-138, 1111-1114. https://doi.org/10.1016/s0022-3093%2805%2980317-5

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