Photoexcited Carrier Diffusion Dependence of Differential Reflection Dynamics in InAsₓP₁₋ₓ/InP (x≤0.35) Strained- Multiple-Quantum Wells

Y. G. Zhao, Y. D. Qin, X. L. Huang, J. J. Wang, Y. H. Zou, Rémo A. Masut et M. Beaudoin

Article de revue (1998)

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Renseignements supplémentaires:	Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux
Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/29216/
Titre de la revue:	Solid State Communications (vol. 105, no 6)
Maison d'édition:	Elsevier
DOI:	10.1016/s0038-1098(97)10144-2
URL officielle:	https://doi.org/10.1016/s0038-1098%2897%2910144-2
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:17

Citer en APA 7:	Zhao, Y. G., Qin, Y. D., Huang, X. L., Wang, J. J., Zou, Y. H., Masut, R. A., & Beaudoin, M. (1998). Photoexcited Carrier Diffusion Dependence of Differential Reflection Dynamics in InAsₓP₁₋ₓ/InP (x≤0.35) Strained- Multiple-Quantum Wells. Solid State Communications, 105(6), 393-397. https://doi.org/10.1016/s0038-1098%2897%2910144-2
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