Y. Ababou, Patrick Desjardins, A. Chennouf, Rémo A. Masut, Arthur Yelon, M. Beaudoin, A. Bensaada, R. Leonelli et Gilles L'Espérance
Article de revue (1997)
Un lien externe est disponible pour ce documentRenseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de métallurgie et de génie des matériaux |
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Département: | Département de génie physique |
Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/30742/ |
Titre de la revue: | Semiconductor Science and Technology (vol. 12, no 5) |
Maison d'édition: | IOP Publishing |
DOI: | 10.1088/0268-1242/12/5/006 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1088/0268-1242/12%2f5%2f006 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:23 |
Dernière modification: | 11 déc. 2023 14:49 |
Citer en APA 7: | Ababou, Y., Desjardins, P., Chennouf, A., Masut, R. A., Yelon, A., Beaudoin, M., Bensaada, A., Leonelli, R., & L'Espérance, G. (1997). Optical absorption and determination of band offset in strain-balanced GaInP/InAsP multiple quantum wells grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Semiconductor Science and Technology, 12(5), 550-554. https://doi.org/10.1088/0268-1242/12%2f5%2f006 |
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