Optical absorption and determination of band offset in strain-balanced GaInP/InAsP multiple quantum wells grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy

Yahya Ababou, Patrick Desjardins, A. Chennouf, Rémo A. Masut, Arthur Yelon, M. Beaudoin, A. Bensaada, R. Leonelli, Gilles L'Espérance

Article de revue (1997)

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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de métallurgie et de génie des matériaux
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Titre de la revue :
Semiconductor Science and Technology ( vol. 12 , no 5 )
Maison d'édition:
IOP Publishing
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:30742
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:17
Citer en APA 7:
Ababou, Y., Desjardins, P., Chennouf, A., Masut, R. A., Yelon, A., Beaudoin, M., Bensaada, A., Leonelli, R., & L'Espérance, G. (1997). Optical absorption and determination of band offset in strain-balanced GaInP/InAsP multiple quantum wells grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Semiconductor Science and Technology, 12(5), 550-554. https://doi.org/10.1088/0268-1242/12/5/006

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