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Optical absorption and determination of band offset in strain-balanced GaInP/InAsP multiple quantum wells grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy

Y. Ababou, Patrick Desjardins, A. Chennouf, Rémo A. Masut, Arthur Yelon, M. Beaudoin, A. Bensaada, R. Leonelli et Gilles L'Espérance

Article de revue (1997)

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Renseignements supplémentaires: Nom historique du département: Département de métallurgie et de génie des matériaux
Département: Département de génie physique
Centre de recherche: GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/30742/
Titre de la revue: Semiconductor Science and Technology (vol. 12, no 5)
Maison d'édition: IOP Publishing
DOI: 10.1088/0268-1242/12/5/006
URL officielle: https://doi.org/10.1088/0268-1242/12%2f5%2f006
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:23
Dernière modification: 11 déc. 2023 14:49
Citer en APA 7: Ababou, Y., Desjardins, P., Chennouf, A., Masut, R. A., Yelon, A., Beaudoin, M., Bensaada, A., Leonelli, R., & L'Espérance, G. (1997). Optical absorption and determination of band offset in strain-balanced GaInP/InAsP multiple quantum wells grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Semiconductor Science and Technology, 12(5), 550-554. https://doi.org/10.1088/0268-1242/12%2f5%2f006

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