Erratum: “Strain and relaxation effects in InAsP/InP multiple quantum well optical modulator devices grown by metal-organic vapor phase epitaxy” [J. Appl. Phys. 81, 1905 (1997)]

R. Y. F. Yip, Abderrahmane Ait Ouali, Ahmed Bensaada, Patrick Desjardins, Mario Beaudoin, L. Isnard, John Low Brebner, John F. Currie, Rémo A. Masut

Article de revue (1997)

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Département:
Département de génie physique
Unité de recherche:
GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
Matériel d'accompagnement:
Adresse URL de PolyPublie:
https://publications.polymtl.ca/29963/
Titre de la revue :
Journal of Applied Physics ( vol. 82 , no 12 )
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
10.1063/1.366538
URL officielle:
https://doi.org/10.1063/1.366538
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:29963
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:07
Citer en APA 7:
Yip, R. Y. F., Ait Ouali, A., Bensaada, A., Desjardins, P., Beaudoin, M., Isnard, L., Brebner, J. L., Currie, J. F., & Masut, R. A. (1997). Erratum: “Strain and relaxation effects in InAsP/InP multiple quantum well optical modulator devices grown by metal-organic vapor phase epitaxy” [J. Appl. Phys. 81, 1905 (1997)]. Journal of Applied Physics, 82(12), 6372-6372. https://doi.org/10.1063/1.366538

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