R. Y. F. Yip, A. Ait Ouali, A. Bensaada, P. Desjardins, M. Beaudoin, L. Isnard, J. L. Brebner, John F. Currie et Rémo A. Masut
Article de revue (1997)
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| Renseignements supplémentaires: | Erratum pour l'article publié dans Journal of Applied Physics, vol. 81, no 4, p. 1905 |
|---|---|
| Département: | Département de génie physique |
| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/29963/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 82, no 12) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.366538 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.366538 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:23 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:19 |
| Citer en APA 7: | Yip, R. Y. F., Ait Ouali, A., Bensaada, A., Desjardins, P., Beaudoin, M., Isnard, L., Brebner, J. L., Currie, J. F., & Masut, R. A. (1997). Erratum: Strain and relaxation effects in InAsP/InP multiple quantum well optical modulator devices grown by metal-organic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 82(12), 6372-6372. https://doi.org/10.1063/1.366538 |
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