Documents dont l'auteur est "Isnard, L."

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B

Beaudoin, M., Desjardins, P., Aït-Ouali, A., Brebner, J. L., Yip, R. Y. F., Marchand, H., Isnard, L., & Masut, R. A. (2000). Optical properties and heterojunction band alignment in fully coherent strain-compensated InAsₓP₁₋ₓ /GayIn₁₋yP multilayers on InP(001). Journal of Applied Physics, 87(5), 2320-2326. Lien externe

Beaudoin, M., Bensaada, A., Leonelli, R., Desjardins, P., Masut, R. A., Isnard, L., Chennouf, A., & L'Espérance, G. (1996). Self-consistent determination of the band offsets in InAsₓP₁₋ₓ/InP strained layer quantum wells and the bowing parameter of bulk InAsₓP₁₋ₓ. Physical review. B, Condensed matter, 53(4), 1990-1996. Lien externe

Beaudoin, M., Masut, R. A., Isnard, L., Desjardins, P., Bensaada, A., L'Espérance, G., & Leonelli, R. (novembre 1994). Band offsets of InAsxP₁₋x/InP strained layer quantum wells grown by LP-MOVPE using TBAs [Communication écrite]. Microcrystalline and nanocrystalline semiconductors : Symposium F of the 1994 Fall Meeting of the Materials Research Society, Boston, USA. Lien externe

Bensaada, A., Suys, M., Beaudoin, M., Desjardins, P., Isnard, L., Masut, R. A., Cochrane, R. W., Currie, J. F., & L'Espérance, G. (juin 1995). LP-MOVPE growth and characterization of InₓGa₁₋ₓAs/InP epilayers and multiple quantum wells using tertiarybutylarsine [Communication écrite]. 6th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and related growth techniques, Ghent, Belgium. Non disponible

C

Cléton, F., Sieber, B., Masut, R. A., Isnard, L., Bonard, J. M., & Ganiere, J. D. (1996). Photon recycling as the dominant process of luminescence generation in an electron-beam excited n-InP epilayer grown on an n⁺-InP substrate. Semiconductor Science and Technology, 11(5), 726-734. Lien externe

Cleton, F., Sieber, B., Isnard, L., Masut, R. A., Bonard, J. M., & Ganiere, J. D. (mars 1995). Band-to-band recombination in N+ InP substrate: Evidence of photon recycling [Communication écrite]. International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials (MSM 1995), Oxford University, UK. Lien externe

D

Desjardins, P., Isnard, L., Marchand, H., & Masut, R. A. (1998). Competing strain relaxation mechanisms in organometallic vapor phase epitaxy of strain-compensated GaInP/InAsP multilayers on InP(001). Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 16(2), 776-780. Lien externe

Desjardins, P., Marchand, H., Isnard, L., & Masut, R. A. (1997). Microstructure and strain relaxation in organometallic vapor phase epitaxy of strain-compensated GaInP/InAsP multilayers on InP(001). Journal of Applied Physics, 81(8), 3501-3511. Lien externe

F

Fafard, S., McCaffrey, J., Feng, Y., Allen, C. N., Marchand, H., Isnard, L., Desjardins, P., Guillon, S., & Masut, R. A. (juillet 1998). Towards quantum dot laser diodes emitting at 1.5 μm [Communication écrite]. ICAPT '98 : Applications of photonic technology 3 :closing the gap between theory, development, and application, Ottawa, CAN. Lien externe

P

Paki, P., Leonelli, R., Isnard, L., & Masut, R. A. (2000). Excitons in Ultrathin InAs/InP Quantum Wells: Interplay Between Extended and Localized States. Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 18(3), 956-959. Lien externe

Paki, P., Leonelli, R., Isnard, L., & Masut, R. A. (1999). Exciton Resonances in Ultrathin InAs/InP Quantum Wells. Applied Physics Letters, 74(10), 1445-1447. Lien externe

Paki, P., Leonelli, R., Isnard, L., & Masut, R. A. (1999). Optical Properties of Submonolayer Inas/Inp Quantum Dots on Vicinal Surfaces. Journal of Applied Physics, 86(12), 6789-6792. Lien externe

R

Ressejac, I. C., Landsberger, L. M., Currie, J. F., & Isnard, L. (2002). Micromachining and Operation of a Bistable Electrothermal Actuator. [Micro-usinage et fonctionnement d'un actuateur électrothermique bistable]. Canadian Journal of Electrical and Computer Engineering, 27(1), 41-45. Lien externe

Y

Yip, R. Y.-F., Desjardins, P., Isnard, L., Aït-Ouali, A., Bensaada, A., Marchand, H., Brebner, J. L., Currie, J. F., & Masut, R. A. (1998). Band alignment and barrier height considerations for the quantum-confined Stark effect. Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 16(2), 801-804. Lien externe

Yip, R. Y. F., Desjardins, P., Isnard, L., Aït-Ouali, A., Marchand, H., Brebner, J. L., Currie, J. F., & Masut, R. A. (1998). Band Alignment Engineering for High Speed, Low Drive Field Quantum-Confined Stark Effect Devices. Journal of Applied Physics, 83(3), 1758-1769. Lien externe

Yip, R. Y. F., Ait Ouali, A., Bensaada, A., Desjardins, P., Beaudoin, M., Isnard, L., Brebner, J. L., Currie, J. F., & Masut, R. A. (1997). Erratum: Strain and relaxation effects in InAsP/InP multiple quantum well optical modulator devices grown by metal-organic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 82(12), 6372-6372. Lien externe

Yip, R. Y.-F., Aït-Ouali, A., Bensaada, A., Desjardins, P., Beaudoin, M., Isnard, L., Brebner, J. L., Currie, J. F., & Masut, R. A. (1997). Strain and relaxation effects in InAsP/InP multiple quantum well optical modulator devices grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 81(4), 1905-1915. Lien externe