Photon recycling as the dominant process of luminescence generation in an electron-beam excited n-InP epilayer grown on an n⁺-InP substrate

F. Cleton, B. Sieber, Rémo A. Masut, L. Isnard, J. M. Bonard et J. D. Ganiere

Article de revue (1996)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/31397/
Titre de la revue:	Semiconductor Science and Technology (vol. 11, no 5)
Maison d'édition:	IOP Publishing
DOI:	10.1088/0268-1242/11/5/013
URL officielle:	https://doi.org/10.1088/0268-1242/11/5/013
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:24
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:21

Citer en APA 7:	Cleton, F., Sieber, B., Masut, R. A., Isnard, L., Bonard, J. M., & Ganiere, J. D. (1996). Photon recycling as the dominant process of luminescence generation in an electron-beam excited n-InP epilayer grown on an n⁺-InP substrate. Semiconductor Science and Technology, 11(5), 726-734. https://doi.org/10.1088/0268-1242/11/5/013
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