Photon recycling as the dominant process of luminescence generation in an electron-beam excited n-InP epilayer grown on an n⁺-InP substrate

F. Cléton, B. Sieber, Rémo A. Masut, L. Isnard, J. M. Bonard, J.-D. Ganière

Article de revue (1996)

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Titre de la revue :
Semiconductor Science and Technology ( vol. 11 , no 5 )
Maison d'édition:
IOP Publishing
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:31397
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Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:24
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:18
Citer en APA 7:
Cléton, F., Sieber, B., Masut, R. A., Isnard, L., Bonard, J. M., & Ganière, J.-D. (1996). Photon recycling as the dominant process of luminescence generation in an electron-beam excited n-InP epilayer grown on an n⁺-InP substrate. Semiconductor Science and Technology, 11(5), 726-734. https://doi.org/10.1088/0268-1242/11/5/013

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