LP-MOVPE growth and characterization of InₓGa₁₋ₓAs/InP epilayers and multiple quantum wells using tertiarybutylarsine

A. Bensaada, M. Suys, M. Beaudoin, Patrick Desjardins, L. Isnard, Rémo A. Masut, R. W. Cochrane, John F. Currie, Gilles L'Espérance

Communication écrite (1995)

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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de métallurgie et de génie des matériaux
Adresse URL de PolyPublie:
Nom de la conférence:
6th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and related growth techniques
Lieu de la conférence:
Ghent, Belgium
Date(s) de la conférence:
1995-06-25 - 1995-06-28
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:32573
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:24
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:20
Citer en APA 7:
Bensaada, A., Suys, M., Beaudoin, M., Desjardins, P., Isnard, L., Masut, R. A., Cochrane, R. W., Currie, J. F., & L'Espérance, G. (juin 1995). LP-MOVPE growth and characterization of InₓGa₁₋ₓAs/InP epilayers and multiple quantum wells using tertiarybutylarsine [Communication écrite]. 6th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and related growth techniques, Ghent, Belgium.

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