Self-consistent determination of the band offsets in InAsₓP₁₋ₓ/InP strained layer quantum wells and the bowing parameter of bulk InAsₓP₁₋ₓ

M. Beaudoin, A. Bensaada, R. Leonelli, Patrick Desjardins, Rémo A. Masut, L. Isnard, A. Chennouf, Gilles L'Espérance

Article de revue (1996)

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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de métallurgie et de génie des matériaux
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Titre de la revue :
Physical review. B, Condensed matter ( vol. 53 , no 4 )
Maison d'édition:
American Physical Society
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:31528
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:24
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:18
Citer en APA 7:
Beaudoin, M., Bensaada, A., Leonelli, R., Desjardins, P., Masut, R. A., Isnard, L., Chennouf, A., & L'Espérance, G. (1996). Self-consistent determination of the band offsets in InAsₓP₁₋ₓ/InP strained layer quantum wells and the bowing parameter of bulk InAsₓP₁₋ₓ. Physical review. B, Condensed matter, 53(4), 1990-1996. https://doi.org/10.1103/physrevb.53.1990

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