Patrick Desjardins
, L. Isnard, H. Marchand, Rémo A. Masut
Article de revue (1998)
Accéder à ce document
Lien externe
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel
Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux
Département:
Unité de recherche:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films
(
vol.
16
,
no
2
)
Maison d'édition:
American Vacuum Society
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:29725
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:07
Citer en APA 7:
Desjardins, P., Isnard, L., Marchand, H., & Masut, R. A. (1998). Competing strain relaxation mechanisms in organometallic vapor phase epitaxy of strain-compensated GaInP/InAsP multilayers on InP(001). Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 16(2), 776-780. https://doi.org/10.1116/1.581058
Statistiques
Dimensions
