Microstructure and strain relaxation in organometallic vapor phase epitaxy of strain-compensated GaInP/InAsP multilayers on InP(001)

Patrick Desjardins, H. Marchand, L. Isnard et Rémo A. Masut

Article de revue (1997)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/30525/
Titre de la revue:	Journal of Applied Physics (vol. 81, no 8)
Maison d'édition:	American Institute of Physics
DOI:	10.1063/1.365049
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/1.365049
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:19

Citer en APA 7:	Desjardins, P., Marchand, H., Isnard, L., & Masut, R. A. (1997). Microstructure and strain relaxation in organometallic vapor phase epitaxy of strain-compensated GaInP/InAsP multilayers on InP(001). Journal of Applied Physics, 81(8), 3501-3511. https://doi.org/10.1063/1.365049
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