Patrick Desjardins
, H. Marchand, L. Isnard, Rémo A. Masut
Article de revue (1997)
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Titre de la revue
:
Journal of Applied Physics
(
vol.
81
,
no
8
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:30525
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:17
Citer en APA 7:
Desjardins, P., Marchand, H., Isnard, L., & Masut, R. A. (1997). Microstructure and strain relaxation in organometallic vapor phase epitaxy of strain-compensated GaInP/InAsP multilayers on InP(001). Journal of Applied Physics, 81(8), 3501-3511. https://doi.org/10.1063/1.365049
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