M. Beaudoin, Rémo A. Masut
, L. Isnard, Patrick Desjardins, A. Bensaada, Gilles L'Espérance et R. Leonelli
Communication écrite (1994)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de métallurgie et de génie des matériaux |
|---|---|
| Département: | Département de génie physique |
| Centre de recherche: |
(CM)² - Centre de caractérisation microscopique des matériaux GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/32594/ |
| Nom de la conférence: | Microcrystalline and nanocrystalline semiconductors : Symposium F of the 1994 Fall Meeting of the Materials Research Society |
| Lieu de la conférence: | Boston, USA |
| Date(s) de la conférence: | 1994-11-29 - 1994-12-02 |
| Maison d'édition: | Materials Research Society |
| DOI: | 10.1557/proc-358-1005 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1557/proc-358-1005 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:24 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:23 |
| Citer en APA 7: | Beaudoin, M., Masut, R. A., Isnard, L., Desjardins, P., Bensaada, A., L'Espérance, G., & Leonelli, R. (novembre 1994). Band offsets of InAsxP₁₋x/InP strained layer quantum wells grown by LP-MOVPE using TBAs [Communication écrite]. Microcrystalline and nanocrystalline semiconductors : Symposium F of the 1994 Fall Meeting of the Materials Research Society, Boston, USA. https://doi.org/10.1557/proc-358-1005 |
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