M. Beaudoin, Rémo A. Masut
, L. Isnard, Patrick Desjardins, A. Bensaada, Gilles L'Espérance, R. Leonelli
Communication écrite (1994)
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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de métallurgie et de génie des matériaux
Département:
Unité de recherche:
Adresse URL de PolyPublie:
Nom de la conférence:
Microcrystalline and nanocrystalline semiconductors : Symposium F of the 1994 Fall Meeting of the Materials Research Society
Lieu de la conférence:
Boston, USA
Date(s) de la conférence:
1994-11-29 - 1994-12-02
Maison d'édition:
Materials Research Society
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:32594
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:24
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:20
Citer en APA 7:
Beaudoin, M., Masut, R. A., Isnard, L., Desjardins, P., Bensaada, A., L'Espérance, G., & Leonelli, R. (novembre 1994). Band offsets of InAsxP₁₋x/InP strained layer quantum wells grown by LP-MOVPE using TBAs [Communication écrite]. Microcrystalline and nanocrystalline semiconductors : Symposium F of the 1994 Fall Meeting of the Materials Research Society, Boston, USA. https://doi.org/10.1557/proc-358-1005
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