Interface study of hydrogenated amorphous silicon nitride on hydrogenated amorphous silicon by X-ray photoelectron spectroscopy

M. Beaudoin, C. J. Arsenault, R. Izquierdo, Michel Meunier

Article de revue (1989)

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Titre de la revue :
Applied Physics Letters ( vol. 55 , no 25 )
Maison d'édition:
American Institute of Physics
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:35692
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:26
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:25
Citer en APA 7:
Beaudoin, M., Arsenault, C. J., Izquierdo, R., & Meunier, M. (1989). Interface study of hydrogenated amorphous silicon nitride on hydrogenated amorphous silicon by X-ray photoelectron spectroscopy. Applied Physics Letters, 55(25), 2640-2640. https://doi.org/10.1063/1.102299

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