M. Beaudoin, C. J. Arsenault, R. Izquierdo et Michel Meunier
Article de revue (1989)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/35692/ |
| Titre de la revue: | Applied Physics Letters (vol. 55, no 25) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.102299 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.102299 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:26 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:28 |
| Citer en APA 7: | Beaudoin, M., Arsenault, C. J., Izquierdo, R., & Meunier, M. (1989). Interface study of hydrogenated amorphous silicon nitride on hydrogenated amorphous silicon by X-ray photoelectron spectroscopy. Applied Physics Letters, 55(25), 2640-2640. https://doi.org/10.1063/1.102299 |
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