Documents dont l'auteur est "Koelling, Sebastian"
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Article de revue
Rahier, E., Koelling, S., Nadal, G., Singh, S., Montpetit, L., & Moutanabbir, O. (2026). Nanoscale Precipitates in Single Te Inclusions in Cd₀.₉ Zn₀.₁ Te Crystal. ACS Applied Materials & Interfaces, 18(25), 35500-35506. Lien externe
Cardoux, C., Pauc, N., Casiez, L., Kroemer, E., Chrétien, J., Bard, A., Frauenrath, M., Calvo, V., Hartmann, J. M., Coudurier, N., Rodriguez, P., Koelling, S., Moutanabbir, O., Isella, G., Widiez, J., Gravrand, O., Chelnokov, A., & Reboud, V. (2026). Enhanced Detectivity of Ge₀.₈₅₄ Sn₀.₁₄₆ Mid-Infrared Photodiodes by Layer Transfer. ACS Photonics. Lien externe
Daoust, P., Rotaru, N., Biswas, D., Koelling, S., Rahier, E., Dubé-Valade, A., Del Vecchio, P., Edwards, M. S., Tanvir, M., Sajadi, E., Salfi, J., & Moutanabbir, O. (2026). Nuclear Spin‐Free ⁷⁰Ge/²⁸Si⁷⁰Ge Quantum Well Heterostructures Grown on Industrial SiGe‐Buffered Wafers. Advanced Science. Lien externe
Luo, L., Daligou, G. T. E. G., Koelling, S., Assali, S., & Moutanabbir, O. (2025). GeSn Nanowire Mid-Infrared Photodetectors and Spectrometers. Meeting abstracts/Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM), MA2025-01(31), 1600-1600. Lien externe
Daoust, P., Del Vecchio, P., Rotaru, N., Dubé-Valade, A., Assali, S., Attiaoui, A., Daligou, G. T. E. G., Koelling, S., Luo, L., Rahier, E., & Moutanabbir, O. (2025). Reduced Pressure Chemical Vapour Deposition Growth of Nuclear Spin-Free 70Ge/28Si70Ge Heterostructures on Industrial Si-Ge Substrates. Meeting abstracts/Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM), MA2025-01(36), 1717 (1 page). Lien externe
Kim, Y., Assali, S., Ge, J., Koelling, S., Luo, M., Luo, L., Joo, H.-J., Zi Jing Tan, J., Shi, X., Ikonic, Z., Li, H., Moutanabbir, O., & Nam, D. (2025). Mid-infrared group IV nanowire laser. Science Advances, 11(20), eadt6723 (7 pages). Disponible
Koelling, S., Assali, S., Nadal, G., Isheim, D., Seidman, D. N., & Moutanabbir, O. (2024). Tracking of atomic planes in atom probe tomography. Journal of Applied Physics, 136(24), 1-11. Disponible
Moutanabbir, O., Luo, L., Kim, Y., Assali, S., Atalla, M. R. M., Joo, H.-J., Koelling, S., Chen, M., Shi, X., Burt, D., & Nam, D. (2024). Group IV Mid-Infrared Optoelectronics Leveraging Nanoscale Growth Substrates. Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM), MA2024-02(32), 2328-2328. Lien externe
Cardoux, C., Casiez, L., Chrétien, J., Goulain, P., Frauenrath, M., Pauc, N., Calvo, V., Coudurier, N., Rodriguez, P., Koelling, S., Moutanabbir, O., Gravrand, O., Hartmann, J.-M., Tchelnokov, A., & Reboud, V. (2024). In-Situ n-Type Doped Carrier-Injection Layers in GeSn Direct Bandgap LEDs for Methane Sensing. Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM), MA2024-02(32), 2327-2327. Lien externe
Rossi, M., van Schijndel, T. A. J., Lueb, P., Badawy, G., Jung, J., Peeters, W. H. J., Koelling, S., Moutanabbir, O., Verheijen, M. A., & Bakkers, E. P. A. M. (2024). Stemless InSb nanowire networks and nanoflakes grown on InP. Nanotechnology, 35(41), 415602 (11 pages). Disponible
Atalla, M. R. M., Lemieux-Leduc, C., Assali, S., Koelling, S., Daoust, P., & Moutanabbir, O. (2024). Extended short-wave infrared high-speed all-GeSn PIN photodetectors on silicon. APL Photonics, 9(5), 056103 (8 pages). Disponible
Andelic, M., Pofelski, A., Bicket, I. C., Assali, S., Koelling, S., Luo, L., Moutanabbir, O., & Botton, G. A. (2024). Sn Alloying Impact on Structural and Electronic Properties of Core-Shell Ge-GeSn Nanowires: A TEM Study. BIO Web of Conferences, 129, 24010-24010. Lien externe
Kim, Y., Assali, S., Joo, H.-J., Koelling, S., Chen, M., Luo, L., Shi, X., Burt, D., Ikonic, Z., Nam, D., & Moutanabbir, O. (2023). Short-wave infrared cavity resonances in a single GeSn nanowire. Nature Communications, 14(1), 4393 (7 pages). Disponible
Moutanabbir, O., Assali, S., Attiaoui, A., Daligou, G. T. E. G., Daoust, P., Del Vecchio, P., Koelling, S., Luo, L., & Rotaru, N. (2023). Nuclear Spin-Depleted, Isotopically Enriched⁷⁰Ge/²⁸ Si⁷⁰Ge Quantum Wells. Advanced Materials, 2305703 (7 pages). Lien externe
Perla, P., Faustmann, A., Koelling, S., Zellekens, P., Deacon, R., Fonseka, H. A., Kölzer, J., Sato, Y., Sánchez, A. M., Moutanabbir, O., Ishibashi, K., Grützmacher, D., Lepsa, M. I., & Schäpers, T. (2022). Te-doped selective-area grown InAs nanowires for superconducting hybrid devices. Physical Review Materials, 6(2), 024602 (9 pages). Lien externe
Luo, L., Assali, S., Atalla, M. R. M., Koelling, S., Attiaoui, A., Daligou, G. T. E. G., Martí, S., Arbiol, J., & Moutanabbir, O. (2022). Extended-SWIR photodetection in all-Group IV core/shell nanowires. ACS Photonics, 9(3), 914-921. Lien externe
Assali, S., Koelling, S., Abboud, Z., Nicolas, J., Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (2022). 500-period epitaxial Ge/Si0.18Ge0.82 multi-quantum wells on silicon. Journal of Applied Physics, 132(17), 175304 (9 pages). Lien externe
Bergamaschini, R., Plantenga, R. C., Albani, M., Scalise, E., Ren, Y., Hauge, H. I. T., Koelling, S., Montalenti, F., Bakkers, E. P. A. M., Verheijen, M. A., & Miglio, L. (2021). Prismatic Ge-rich inclusions in the hexagonal SiGe shell of GaP-Si-SiGe nanowires by controlled faceting. Nanoscale, 13(20), 9436-9445. Lien externe
Fadaly, E. M. T., Dijkstra, A., Suckert, J. R., Ziss, D., van Tilburg, M. A. J., Mao, C., Ren, Y., van Lange, V. T., Korzun, K., Koelling, S., Verheijen, M. A., Busse, D., Rödl, C., Furthmüller, J., Bechstedt, F., Stangl, J., Finley, J. J., Botti, S., Haverkort, J. E. M., & Bakkers, E. P. A. M. (2020). Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys. Nature, 580(7802), 205-209. Lien externe
Assali, S., Albani, M., Bergamaschini, R., Verheijen, M., Li, A., Koelling, S., Gagliano, L., Bakkers, E. P. A. M., & Miglio, L. (2019). Strain engineering in Ge/GeSn core/shell nanowires. Applied Physics Letters, 115(11), 5 pages. Lien externe
Koelling, S., Plantenga, R. C., Ikaros T. Hauge, H., Ren, Y., Li, A., Verheijen, M. A., Conesa-Boj, S., Assali, S., Koenraad, P. M., & A. M. Bakkers, E. P. (2016). Impurity and Defect Monitoring in Hexagonal Si and SiGe Nanocrystals. ECS Meeting Abstracts, MA2016-02(30), 1949-1949. Lien externe
Commentaire ou lettre
Lamon, D., Verheijen, M. A., Koelling, S., Jansen-Zilles, M. M., & Bakkers, E. P. A. M. (2026). Hexagonal SiGe Quantum Dots in Nanowires [Commentaire ou lettre]. Nano Letters, 26(27), 8704-8711. Lien externe
Gradwohl, K.-P., Cvitkovich, L., Lu, C.-H., Koelling, S., Oezkent, M., Liu, Y., Waldhör, D., Grasser, T., Niquet, Y.-M., Albrecht, M., Richter, C., Moutanabbir, O., & Martin, J. (2025). Enhanced nanoscale Ge concentration oscillations in Si/SiGe quantum well through controlled segregation [Commentaire ou lettre]. Nano Letters, 25(11), 4204-4210. Disponible
Communication écrite
Rahier, E., Koelling, S., Singh, S., Montpetit, L., & Moutanabbir, O. (novembre 2025). Tracking the Three-Dimensional Distribution of Growth Impurities in Cd₀.₉Zn₀.₁Te Single Crystal [Communication écrite]. Nuclear Science Symposium (NSS), Medical Imaging Conference (MIC) and Room Temperature Semiconductor Detector Conference (RTSD), Yokohama, Japan (1 page). Lien externe
Singh, S., Montpetit, L., Rahier, E., Atalla, M., Koelling, S., & Moutanabbir, O. (novembre 2025). Interpixel Passivation of CZT Detectors via ALD-Deposited Al₂O₃ [Communication écrite]. Nuclear Science Symposium (NSS), Medical Imaging Conference (MIC) and Room Temperature Semiconductor Detector Conference (RTSD), Yokohama, Japan (1 page). Lien externe
Ndiaye, E. B., Omambac, K., Koelling, S., Rahier, E., Michel, S. J., Moutanabbir, O., & Dupont-Ferrier, E. (novembre 2025). Sb Delta Doping of Isotopically Purified Epitaxial ²⁸Si for Nuclear High-Spin Qubits [Communication écrite]. 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025), Yokohama-shi, Kanagawa, Japan. Non disponible
Daoust, P., Rotaru, N., Dubé-Valade, A., Koelling, S., Rahier, E., Del Vecchio, P., Biswas, D., Edwards, M., Tanvir, M., Sajadi, E., Salfi, J., & Moutanabbir, O. (novembre 2025). Isotopically pure 70Ge/28Si70Ge heterostructures grown on SiGe-buffered Si wafers [Communication écrite]. 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025), Yokohama-shi, Kanagawa, Japan. Non disponible
Luo, L., Vlassov, D., Atalla, M. R. M., Assali, S., Lemieux-Leduc, C., Cai, Z., Koelling, S., Daligou, G. T. E. G., & Moutanabbir, O. (novembre 2025). GeSn: Insights from Nanoscale Materials and Devices [Communication écrite]. 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025), Yokohama-shi, Kanagawa, Japan. Non disponible
Nadal, G., Moutanabbir, O., Koelling, S., Rahier, E., Montpetit, L., & Singh, S. (octobre 2024). Atomic-level Mapping of Cd0.9Zn0.1Te Crystals [Communication écrite]. IEEE Nuclear Science Symposium (NSS), Medical Imaging Conference (MIC) and Room Temperature Semiconductor Detector Conference (RTSD), Tampa, FL, USA. Lien externe
Attiaoui, A., Assali, S., Luo, L., Daligou, G. T. E. G., Atalla, M., Koelling, S., & Moutanabbir, O. (juillet 2022). Group-IV GeSn nanophotonics [Communication écrite]. IEEE Photonics Society Summer Topicals Meeting Series (SUM 2022), Cabo San Lucas, Mexico (2 pages). Lien externe
Atalla, M., Assali, S., Koelling, S., Daligou, G. T. E. G., Attiaoui, A., Luo, L., Lemieux-Leduc, C., Abdi, S., & Moutanabbir, O. (mai 2022). Mid-infrared silicon-integrated high-bandwidth GeSn PIN photodetectors and LEDs [Communication écrite]. Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2022), San José, CA, USA (2 pages). Lien externe
Assali, S., Attiaoui, A., Abdi, S., Atalla, M., Bouthillier, É., Luo, L., Groell, L., Nicolas, J., Mukherjee, S., Koelling, S., & Moutanabbir, O. (février 2020). SWIR and MIR emission and detection using an all-group IV platform [Communication écrite]. SPIE OPTO 2020, San Francisco, CA, USA. Lien externe
Koelling, S., Plantenga, R. C., Hauge, H. I. T., Ren, Y., Li, A., Verheijen, M. A., Conesa Boj, S., Assali, S., Koenraad, P. M., & Bakkers, E. P. A. M. (octobre 2016). Impurity and defect monitoring in hexagonal Si and SiGe nanocrystals [Communication écrite]. Symposium on SiGe, Ge, and Related Materials: Materials, Processing, and Devices 7 (PRiME 2016)/230th ECS Meeting, Honolulu, HI. Publié dans ECS Transactions, 75(8). Lien externe
Résumé
Singh, S., Montpetit, L., Nadal, G., Atalla, M., Rahier, E., Koelling, S., & Moutanabbir, O. (octobre 2024). Impact of Br-etching on surface and current-voltage characteristics of CZT detector [Résumé]. IEEE Nuclear Science Symposium (NSS 2024), Medical Imaging Conference (MIC 2024) and Room Temperature Semiconductor Detector Conference (RTSD 2024), Tampa, FL, USA. Lien externe
Présentation
Bellemare, C., Atalla, M. R. M., Daoust, P., Koelling, S., Assali, S., & Moutanabbir, O. (janvier 2024). Silicon-integrated SWIR and MWIR GeSn photoconductive devices [Présentation]. Dans SPIE OPTO, 2024, San Francisco, California, United States. Lien externe
Brevet
Koelling, S., & Moutanabbir, O. (2025). Three-dimensional Tracking and Mapping of Atomic Planes in Atom Probe Tomography Imaging. (Brevet no US12488456 B2). Lien externe
Ensemble de données
Perla, P., Faustmann, A., Koelling, S., Zellekens, P., Deacon, R., Fonseka, H. A., Kölzer, J., Sato, Y., Sanchez, A. M., Moutanabbir, O., Ishibashi, K., Grützmacher, D., Lepsa, M. I., & Schäpers, T. (2022). Data for: Te-doped selective-area grown InAs nanowires for superconducting hybrid devices [Ensemble de données]. Lien externe