Sebastian Koelling, Rianne C. Plantenga, Håkon Ikaros T. Hauge, Yizhen Ren, Ang Li, Marcel A. Verheijen, Sonia Conesa Boj, Simone Assali, Paul M. Koenraad, Erik P. A. M. Bakkers
Communication écrite (2016)
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Département:
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Nom de la conférence:
Symposium on SiGe, Ge, and Related Materials: Materials, Processing, and Devices 7 (PRiME 2016)/230th ECS Meeting
Lieu de la conférence:
Honolulu, HI
Date(s) de la conférence:
2016-10-02 - 2016-10-07
Titre de la revue
:
ECS Transactions
(
vol.
75
,
no
8
)
Maison d'édition:
Electrochemical Society
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:36140
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:05
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:26
Citer en APA 7:
Koelling, S., Plantenga, R. C., Hauge, H. I. T., Ren, Y., Li, A., Verheijen, M. A., Conesa Boj, S., Assali, S., Koenraad, P. M., & Bakkers, E. P. A. M. (octobre 2016). Impurity and defect monitoring in hexagonal Si and SiGe nanocrystals [Communication écrite]. Symposium on SiGe, Ge, and Related Materials: Materials, Processing, and Devices 7 (PRiME 2016)/230th ECS Meeting, Honolulu, HI. Publié dans ECS Transactions, 75(8). https://doi.org/10.1149/07508.0751ecst
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