C. Cardoux, Lara Casiez, Jérémie Chrétien, Paul Goulain, Marvin Frauenrath, N. Pauc, V. Calvo, Nicolas Coudurier, Philippe Rodriguez, Sebastian Koelling, Oussama Moutanabbir
, O. Gravrand, Jean-Michel Hartmann, Alexei Tchelnokov, Vincent Reboud
Article de revue (2024)
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Titre de la revue
:
Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM)
(
vol.
MA2024-02
,
no
32
)
Maison d'édition:
Institute of Physics
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:62257
ORCID
Date du dépôt:
30 janv. 2025 10:39
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:22
Citer en APA 7:
Cardoux, C., Casiez, L., Chrétien, J., Goulain, P., Frauenrath, M., Pauc, N., Calvo, V., Coudurier, N., Rodriguez, P., Koelling, S., Moutanabbir, O., Gravrand, O., Hartmann, J.-M., Tchelnokov, A., & Reboud, V. (2024). In-Situ n-Type Doped Carrier-Injection Layers in GeSn Direct Bandgap LEDs for Methane Sensing. Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM), MA2024-02(32), 2327-2327. https://doi.org/10.1149/ma2024-02322327mtgabs
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