Lu Luo, David Vlassov, M. R. M. Atalla, Simone Assali, Cédric Lemieux-Leduc, Ziqiang Cai, Sebastian Koelling, Gérard Tanguy Eric Gnato Daligou, Oussama Moutanabbir
Communication écrite (2025)
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Nom de la conférence:
10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025)
Lieu de la conférence:
Yokohama-shi, Kanagawa, Japan
Date(s) de la conférence:
2025-11-10 - 2025-11-13
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:72417
ORCID
Date du dépôt:
10 févr. 2026 08:56
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:33
Citer en APA 7:
Luo, L., Vlassov, D., Atalla, M. R. M., Assali, S., Lemieux-Leduc, C., Cai, Z., Koelling, S., Daligou, G. T. E. G., & Moutanabbir, O. (novembre 2025). GeSn: Insights from Nanoscale Materials and Devices [Communication écrite]. 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025), Yokohama-shi, Kanagawa, Japan.
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