Patrick Daoust, Nicolas Rotaru, Alexis Dubé-Valade, Sebastian Koelling, Eloïse Rahier, Patrick Del Vecchio, Debojyoti Biswas, Marcus Edwards, Mukhlasur Tanvir, Ebrahim Sajadi, Joseph Salfi, Oussama Moutanabbir
Communication écrite (2025)
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Nom de la conférence:
10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025)
Lieu de la conférence:
Yokohama-shi, Kanagawa, Japan
Date(s) de la conférence:
2025-11-10 - 2025-11-13
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:72416
ORCID
Date du dépôt:
10 févr. 2026 09:03
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:33
Citer en APA 7:
Daoust, P., Rotaru, N., Dubé-Valade, A., Koelling, S., Rahier, E., Del Vecchio, P., Biswas, D., Edwards, M., Tanvir, M., Sajadi, E., Salfi, J., & Moutanabbir, O. (novembre 2025). Isotopically pure 70Ge/28Si70Ge heterostructures grown on SiGe-buffered Si wafers [Communication écrite]. 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025), Yokohama-shi, Kanagawa, Japan.
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