Simone Assali, Sebastian Koelling, Zeinab Abboud, Jérôme Nicolas, Anis Attiaoui, Oussama Moutanabbir
Article de revue (2022)
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Département:
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Titre de la revue
:
Journal of Applied Physics
(
vol.
132
,
no
17
)
Maison d'édition:
AIP Publishing
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:52059
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 14:58
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:09
Citer en APA 7:
Assali, S., Koelling, S., Abboud, Z., Nicolas, J., Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (2022). 500-period epitaxial Ge/Si0.18Ge0.82 multi-quantum wells on silicon. Journal of Applied Physics, 132(17), 175304 (9 pages). https://doi.org/10.1063/5.0119624
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