Sebastian Koelling, Rianne C. Plantenga, Håkon Ikaros T. Hauge, Yizhen Ren, Ang Li, Marcel A. Verheijen, Sònia Conesa-Boj, Simone Assali, P. M. Koenraad, Erik P. A. M. Bakkers
Article de revue (2016)
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Titre de la revue
:
ECS Meeting Abstracts
(
vol.
MA2016-02
,
no
30
)
Maison d'édition:
Institute of Physics
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:79685
ORCID
Date du dépôt:
29 juin 2026 16:11
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:41
Citer en APA 7:
Koelling, S., Plantenga, R. C., Ikaros T. Hauge, H., Ren, Y., Li, A., Verheijen, M. A., Conesa-Boj, S., Assali, S., Koenraad, P. M., & A. M. Bakkers, E. P. (2016). Impurity and Defect Monitoring in Hexagonal Si and SiGe Nanocrystals. ECS Meeting Abstracts, MA2016-02(30), 1949-1949. https://doi.org/10.1149/ma2016-02/30/1949
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