Sebastian Koelling, Rianne C. Plantenga, Håkon Ikaros T. Hauge, Yizhen Ren, Ang Li, Marcel A. Verheijen, Sònia Conesa-Boj, Simone Assali, P. M. Koenraad et Erik P. A. M. Bakkers
Article de revue (2016)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/79685/ |
| Titre de la revue: | ECS Meeting Abstracts (vol. MA2016-02, no 30) |
| Maison d'édition: | Institute of Physics |
| DOI: | 10.1149/ma2016-02/30/1949 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1149/ma2016-02/30/1949 |
| Date du dépôt: | 29 juin 2026 16:11 |
| Dernière modification: | 29 juin 2026 16:11 |
| Citer en APA 7: | Koelling, S., Plantenga, R. C., Ikaros T. Hauge, H., Ren, Y., Li, A., Verheijen, M. A., Conesa-Boj, S., Assali, S., Koenraad, P. M., & A. M. Bakkers, E. P. (2016). Impurity and Defect Monitoring in Hexagonal Si and SiGe Nanocrystals. ECS Meeting Abstracts, MA2016-02(30), 1949-1949. https://doi.org/10.1149/ma2016-02/30/1949 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
