Documents dont l'auteur est "Lavoie, Christian"

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A

Aubin, A. (2013). Analyse de la formation des phases du système cuivre-germanium par diffraction des rayons X sur des échantillons d'épaisseur nanoscopique [Mémoire de maîtrise, École Polytechnique de Montréal]. Disponible

C

Coia, C. (2008). Microstructure and growth kinetics of nickel silicide ultra-thin films synthesized by solid-state reactions [Thèse de doctorat, École Polytechnique de Montréal]. Disponible

F

Forest, L. (2008). Soudures sans-plomb pour la microélectronique [Mémoire de maîtrise, École Polytechnique de Montréal]. Disponible

G

Gaudet, S., De Keyser, K., Lambert-Milot, S., Jordan-Sweet, J., Detavernier, C., Lavoie, C., & Desjardins, P. (2013). Three dimensional reciprocal space measurement by x-ray diffraction using linear and area detectors: Applications to texture and defects determination in oriented thin films and nanoprecipitates. Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 31(2). Lien externe

Gaudet, S. (2011). L'impact de la texture sur la réaction en phase solide du Ni avec le Si [Thèse de doctorat, École Polytechnique de Montréal]. Disponible

Gaudet, S. (2005). Étude de la réaction de couches minces de métaux de transition avec le germanium pour leur application en microélectronique [Mémoire de maîtrise, École Polytechnique de Montréal]. Disponible

K

Kittl, J. A., Pawlak, M. A., Torregiani, C., Lauwers, A., Demeurisse, C., Vrancken, C., Absil, P. P., Biesemans, S., Coia, C., Detavernier, C., Jordan-Sweet, J., & Lavoie, C. (2007). Transient and End Silicide Phase Formation in Thin Film Ni/Polycrystalline-Si Reactions for Fully Silicided Gate Applications. Applied Physics Letters, 91(17). Lien externe

L

Lambert-Milot, S., Gaudet, S., Lacroix, C., Ménard, D., Masut, R. A., Lavoie, C., & Desjardins, P. (2012). MnP nanoclusters embedded in GaP epitaxial films grown by organometallic vapor-phase epitaxy: A reciprocal space mapping and transmission electron microscopy study. Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 30(6), 22-22. Lien externe

Leroy, W. P., Detavernier, C., Van Meirhaeghe, R. L., & Lavoie, C. (2007). Thin Film Solid-State Reactions Forming Carbides as Contact Materials for Carbon-Containing Semiconductors. Journal of Applied Physics, 101(5), 053714-1. Lien externe

Leroy, W. P., Detavernier, C., Van Meirhaeghe, R. L., Kellock, A. J., & Lavoie, C. (2006). Solid-State Formation of Titanium Carbide and Molybdenum Carbide as Contacts for Carbon-Containing Semiconductors. Journal of Applied Physics, 99(6). Lien externe

T

Turcotte-Tremblay, P., Guihard, M., Gaudet, S., Chicoine, M., Lavoie, C., Desjardins, P., & Schiettekatte, F. (2013). Thin film Ni-Si solid-state reactions: Phase formation sequence on amorphized Si. Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena, 31(5). Lien externe

Tremblay, M. (2006). Caractérisation des propriétés physico-chimiques des siliciures de nickel sous forme de couches minces [Mémoire de maîtrise, École Polytechnique de Montréal]. Disponible

Z

Zhang, Z., Zhang, S.-L., Yang, B., Zhu, Y., Rossnagel, S. M., Gaudet, S., Kellock, A. J., Jordan-Sweet, J., & Lavoie, C. (2010). Morphological stability and specific resistivity of sub-10 nm silicide films of Ni1-xPtx on Si substrate. Applied Physics Letters, 96(7), 071915-071915. Lien externe

Zhang, Z., Yang, B., Zhu, Y., Gaudet, S., Rossnagel, S., Kellock, A. J., Ozcan, A., Murray, C., Desjardins, P., Zhang, S.-L., Jordan-Sweet, J., & Lavoie, C. (2010). Exploitation of a self-limiting process for reproducible formation of ultrathin Ni1-xPtx silicide films. Applied Physics Letters, 97(25), 252108-252108. Lien externe

Liste produite: Thu Oct 15 11:50:44 2026 EDT.