Zhen Zhang, Shi-Li Zhang, Bin Yang, Yu Zhu, Stephen M. Rossnagel, Simon Gaudet, Andrew J. Kellock, Jean Jordan-Sweet, Christian Lavoie
Article de revue (2010)
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Département:
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Titre de la revue
:
Applied Physics Letters
(
vol.
96
,
no
7
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:17403
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:14
Dernière modification:
14 oct. 2026 11:19
Citer en APA 7:
Zhang, Z., Zhang, S.-L., Yang, B., Zhu, Y., Rossnagel, S. M., Gaudet, S., Kellock, A. J., Jordan-Sweet, J., & Lavoie, C. (2010). Morphological stability and specific resistivity of sub-10 nm silicide films of Ni1-xPtx on Si substrate. Applied Physics Letters, 96(7), 071915-071915. https://doi.org/10.1063/1.3323097
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