J. A. Kittl, M. A. Pawlak, C. Torregiani, A. Lauwers, C. Demeurisse, C. Vrancken, P. P. Absil, S. Biesemans, C. Coia, C. Detavernier, J. Jordan-Sweet, Christian Lavoie
Article de revue (2007)
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Titre de la revue
:
Applied Physics Letters
(
vol.
91
,
no
17
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:21789
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:16
Dernière modification:
14 oct. 2026 12:54
Citer en APA 7:
Kittl, J. A., Pawlak, M. A., Torregiani, C., Lauwers, A., Demeurisse, C., Vrancken, C., Absil, P. P., Biesemans, S., Coia, C., Detavernier, C., Jordan-Sweet, J., & Lavoie, C. (2007). Transient and End Silicide Phase Formation in Thin Film Ni/Polycrystalline-Si Reactions for Fully Silicided Gate Applications. Applied Physics Letters, 91(17). https://doi.org/10.1063/1.2799247
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