 | Monter d'un niveau |
Réseau de collaborationCe graphique trace les liens entre tous les collaborateurs des publications de {} figurant sur cette page.
Chaque lien représente une collaboration sur la même publication. L'épaisseur du lien représente le nombre de collaborations.
Utilisez la molette de la souris ou les gestes de défilement pour zoomer à l'intérieur du graphique.
Vous pouvez cliquer sur les noeuds et les liens pour les mettre en surbrillance et déplacer les noeuds en les glissant.
Enfoncez la touche "Ctrl" ou la touche "⌘" en cliquant sur les noeuds pour ouvrir la liste des publications de cette personne.
Ouellet, O. L., Tremblay, Y., Gagnon, G., Caron, M., Currie, J. F., Gujrathi, S. C., Biberger, M., & Reynolds, R. (1996). The effect of an oxygen plasma exposure on the reliability of a ti/tin contact metallization. Journal of Applied Physics, 79(8, pt. 1), 4438-4443. Lien externe
Gagnon, G., Gujrathi, S. C., Caron, M., Currie, J. F., Tremblay, Y., Ouellet, L., Biberger, M., & Reynolds, R. (1996). Effect of the oxidation of TiN on the stability of the Al/TiN interface. Journal of Applied Physics, 80(1), 188-195. Lien externe
Ouellet, L., Tremblay, Y., Gagnon, G., Caron, M., Currie, J. F., Gujrathi, S. C., & Biberger, M. (1996). The effect of the Ti glue layer in an integrated Ti/TiN/Ti/AlSiCu/TiN contact metallization process. Journal of vacuum science & technology. B. Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 14(4), 2627-2635. Lien externe
Ouellet, L., Tremblay, Y., Gagnon, G., Caron, M., Currie, J. F., Gujrathi, S. C., & Biberger, M. (1996). Effect of the Ti/TiN bilayer barrier and its surface treatment on the reliability of a Ti/TiN/AlSiCu/TiN contact metallization. Journal of vacuum science & technology. B. Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 14(6), 3502-3508. Lien externe
Gagnon, G., Currie, J. F., Brebner, J. L., & Darwall, T. (1996). Efficiency of TiN diffusion barrier between Al and Si prepared by reactive evaporation and rapid thermal annealing. Journal of Applied Physics, 79(10), 7612-7620. Lien externe
Gagnon, G., Currie, J. F., Beique, G., Brebner, J. L., Gujrathi, S. C., & Ouellet, L. (1994). Characterization of reactively evaporated TiN layers for diffusion barrier applications. Journal of Applied Physics, 75(3), 1565-1570. Lien externe
Hay, R. D., & Gagnon, G. (1977). Explosive welding in aluminum, copper and steel-based systems : final report. (Rapport technique n° EP-R-77-10). Accès restreint
Gagnon, G., Caron, M., Currie, J. F., Gujrathi, S. C., Fortin, V., Tremblay, Y., Oueller, L., Wang, M., Biberger, M., & Wong, F. (juin 1996). Effect of a TiN anti-reflecting coating on the performance of Ti/TiN/AlSiCu metallization of VLSI devices [Communication écrite]. 13th International VLSI Multilevel Interconnection (V-MIC) Conference, Santa Clara, CA, USA. Non disponible
Gagnon, G., Caron, M., Currie, J. F., Gujrathi, S. C., Fortin, V., Tremblay, Y., Ouellet, L., Wang, M., Biberger, M., & Wong, F. (juin 1996). Effect of the oxidation of TiN barrier on its efficiency as a diffusion barrier in AlSiCu metallization of VLSI devices [Communication écrite]. 13th International VLSI Multilevel Interconnection (V-MIC) Conference, Santa Clara, CA, USA. Non disponible
Caron, M., Gagnon, G., Gauvin, R., Hovington, P., Drouin, D., Currie, J. F., Tremblay, Y., Ouellet, L., Bigerger, M., & Wong, F. (juin 1996). An iterative procedure based on Monte Carlo simulation to determine the thickness and composition of VLSI metallization [Communication écrite]. 13th International VLSI Multilevel Interconnection (V-MIC) Conference, Santa Clara, CA, USA. Non disponible
