Gérald Gagnon, John F. Currie, J. L. Brebner et T. Darwall
Article de revue (1996)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de métallurgie et de génie des matériaux |
|---|---|
| Département: | Département de génie physique |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/31310/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 79, no 10) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.362418 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.362418 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:24 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:21 |
| Citer en APA 7: | Gagnon, G., Currie, J. F., Brebner, J. L., & Darwall, T. (1996). Efficiency of TiN diffusion barrier between Al and Si prepared by reactive evaporation and rapid thermal annealing. Journal of Applied Physics, 79(10), 7612-7620. https://doi.org/10.1063/1.362418 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
