Efficiency of TiN diffusion barrier between Al and Si prepared by reactive evaporation and rapid thermal annealing

Gagnon, Gérald; Currie, John F.; Brebner, J. L.; Darwall, T.; Gagnon, Gérald; Currie, John F.; Brebner, J. L.; Darwall, T.

Efficiency of TiN diffusion barrier between Al and Si prepared by reactive evaporation and rapid thermal annealing

Gérald Gagnon, John F. Currie, J. L. Brebner, T. Darwall

Article de revue (1996)

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Renseignements supplémentaires:

Nom historique du département: Département de métallurgie et de génie des matériaux

Département:

Département de génie physique

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/31310/

Titre de la revue :

Journal of Applied Physics ( vol. 79 , no 10 )

Maison d'édition:

American Institute of Physics

DOI:

10.1063/1.362418

URL officielle:

https://doi.org/10.1063/1.362418

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:31310

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:24

Dernière modification:

14 oct. 2026 13:18

Citer en APA 7:

Gagnon, G., Currie, J. F., Brebner, J. L., & Darwall, T. (1996). Efficiency of TiN diffusion barrier between Al and Si prepared by reactive evaporation and rapid thermal annealing. Journal of Applied Physics, 79(10), 7612-7620. https://doi.org/10.1063/1.362418

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