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Nuage de motsUn nuage de mots est une représentation visuelle des mots les plus fréquemment utilisés dans un texte ou un ensemble de textes. Les mots apparaissent dans différentes tailles, la taille de chaque mot étant proportionnelle à sa fréquence d'apparition dans le texte. Plus un mot est utilisé fréquemment, plus il apparaît en grand dans le nuage de mots. Cette technique permet de visualiser rapidement les thèmes et les concepts les plus importants d'un texte.
Dans le contexte de cette page, le nuage de mots a été généré à partir des publications de l'auteur {}. Les mots présents dans ce nuage proviennent des titres, résumés et mots-clés des articles et travaux de recherche de cet auteur. En analysant ce nuage de mots, vous pouvez obtenir un aperçu des sujets et des domaines de recherche les plus récurrents et significatifs dans les travaux de cet auteur.Le nuage de mots est un outil utile pour identifier les tendances et les thèmes principaux dans un corpus de textes, facilitant ainsi la compréhension et l'analyse des contenus de manière visuelle et intuitive.
Aït-Ouali, A., Brebner, J. L., Yip, R. Y. F., & Masut, R. A. (1999). Analysis of the Stokes shift in InAsP/InP and InGaP/InP multiple quantum wells. Journal of Applied Physics, 86(12), 6803-6809. Lien externe
Aït-Ouali, A., Chennouf, A., Yip, R. Y. F., Brebner, J. L., Leonelli, R., & Masut, R. A. (1998). Localization of Excitons by Potential Fluctuations and Its Effect on the Stokes Shift in InGaP/InP Quantum Confined Heterostructures. Journal of Applied Physics, 84(10), 5639-5642. Lien externe
Aït-Ouali, A., Yip, R. Y. F., Brebner, J. L., & Masut, R. A. (1998). Strain Relaxation and Exciton Localization Effects on the Stokes Shift in InAsₓP₁₋ₓ/InP Multiple Quantum Wells. Journal of Applied Physics, 83(6), 3153-3160. Lien externe
Beaudoin, M., Desjardins, P., Aït-Ouali, A., Brebner, J. L., Yip, R. Y. F., Marchand, H., Isnard, L., & Masut, R. A. (2000). Optical properties and heterojunction band alignment in fully coherent strain-compensated InAsₓP₁₋ₓ /GayIn₁₋yP multilayers on InP(001). Journal of Applied Physics, 87(5), 2320-2326. Lien externe
Bensaada, A., Graham, J. T., Brebner, J. L., Chennouf, A., Cochrane, R. W., Leonelli, R., & Masut, R. A. (1994). Band alignment in GaₓIn₁₋ₓP/InP heterostructures. Applied Physics Letters, 64(3), 273-275. Lien externe
Brebner, J. L., Cochrane, R. W., Groleau, R., Gujrathi, S., Kéroack, D., Lépine, Y., Martín, J. P., Vanaček, M., Aktik, Ç., Aktik, M., Azelmad, A., Currie, J. F., Poulin-Dandurand, S., Ranchoux, B., Sacher, E., Tannous, C., Wertheimer, M. R., & Yelon, A. (1985). Progress in amorphous-silicon photovoltaic-device research. Canadian Journal of Physics, 63(6), 786-797. Lien externe
Gagnon, G., Currie, J. F., Brebner, J. L., & Darwall, T. (1996). Efficiency of TiN diffusion barrier between Al and Si prepared by reactive evaporation and rapid thermal annealing. Journal of Applied Physics, 79(10), 7612-7620. Lien externe
Gagnon, G., Currie, J. F., Beique, G., Brebner, J. L., Gujrathi, S. C., & Ouellet, L. (1994). Characterization of reactively evaporated TiN layers for diffusion barrier applications. Journal of Applied Physics, 75(3), 1565-1570. Lien externe
Leonelli, R., Tran, C. A., Brebner, J. L., Graham, J., Tabti, R., Masut, R. A., & Charbonneau, S. (1993). Optical and structural properties of metalorganic-vapor-phase-epitaxy-grown InAs quantum wells and quantum dots in InP. Physical review. B, Condensed matter, 48(15), 11135-11143. Lien externe
Perluzzo, G., Aktik, Ç., Currie, J. F., Poulin-Dandurand, S., Yelon, A., Brebner, J. L., & Cochrane, R. W. (1987). Doping glow-discharge amorphous silicon by metal coevaporation. Canadian Journal of Physics, 65(8), 1027-1029. Lien externe
Paquin, L., Currie, J. F., Noirhomme, B., Poulin-Dandurand, S., Sacher, E., Wertheimer, M. R., Yelon, A., Brebner, J. L., Cochrane, R. W., Groleau, R., Lu, H., & Martin, J. P. (juillet 1983). Comparison of amorphous silicon (a-Si:H) prepared in radio and microwave frequency glow discharges [Communication écrite]. 6th International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC 1983), Montreal, Qc, Canada (5 pages). Lien externe
Tchebotareva, A., Brebner, J. L., Roorda, S., Desjardins, P., & White, C. W. (2002). Structural properties of InAs nanocrystals formed by sequential implantation of In and As ions in the Si (100) matrix. Journal of Applied Physics, 92(8), 4664-4671. Lien externe
Tran, C. A., Masut, R. A., Brebner, J. L., Jouanne, M., Salamancariba, L., Shen, C. C., Sieber, B., & Miri, A. (1994). Atomic layer epitaxy and characterization of InP and InAs/InP heterostructures. Journal of Crystal Growth, 145(1-4), 332-337. Lien externe
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Tran, C. A., Graham, J. T., Brebner, J. L., & Masut, R. A. (1994). Interfaces of InAsP/InP multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Electronic Materials, 23(12), 1291-1296. Lien externe
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Watkins, S. P., Arès, R., Masut, R. A., Tran, C. A., & Brebner, J. L. (1994). Strain effects in high-purity InP epilayers grown on slightly mismatched substrates. Journal of Applied Physics, 75(5), 2460-2465. Lien externe
Yip, R. Y. F., Desjardins, P., Isnard, L., Aït-Ouali, A., Marchand, H., Brebner, J. L., Currie, J. F., & Masut, R. A. (1998). Band Alignment Engineering for High Speed, Low Drive Field Quantum-Confined Stark Effect Devices. Journal of Applied Physics, 83(3), 1758-1769. Lien externe
Yip, R. Y. F., Ait Ouali, A., Bensaada, A., Desjardins, P., Beaudoin, M., Isnard, L., Brebner, J. L., Currie, J. F., & Masut, R. A. (1997). Erratum: Strain and relaxation effects in InAsP/InP multiple quantum well optical modulator devices grown by metal-organic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 82(12), 6372-6372. Lien externe
Zhao, Y. G., Masut, R. A., Brebner, J. L., Tran, C. A., & Graham, J. T. (1994). Temperature dependence of photoluminescence in InAsP/InP strained multiple quantum wells. Journal of Applied Physics, 76(10), 5921-5926. Lien externe
Zhao, Y., Zhao, G., Brebner, J. L., Bensaada, A., & Masut, R. A. (1992). Observation of persistent photoconductivity in GaₓIn₁-ₓP/InP:Fe (0<or=x<0.18). Semiconductor Science and Technology, 7(11), 1359-1362. Lien externe
