Structural properties of InAs nanocrystals formed by sequential implantation of In and As ions in the Si (100) matrix

A. Tchebotareva, J. L. Brebner, S. Roorda, Patrick Desjardins, C. W. White

Article de revue (2002)

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Titre de la revue :
Journal of Applied Physics ( vol. 92 , no 8 )
Maison d'édition:
American Institute of Physics
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:26263
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:21
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:01
Citer en APA 7:
Tchebotareva, A., Brebner, J. L., Roorda, S., Desjardins, P., & White, C. W. (2002). Structural properties of InAs nanocrystals formed by sequential implantation of In and As ions in the Si (100) matrix. Journal of Applied Physics, 92(8), 4664-4671. https://doi.org/10.1063/1.1507822

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