C. A. Tran, Rémo A. Masut
, J. L. Brebner, M. Jouanne, L. Salamancariba, C. C. Shen, B. Sieber et A. Miri
Article de revue (1994)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/32796/ |
| Titre de la revue: | Journal of Crystal Growth (vol. 145, no 1-4) |
| Maison d'édition: | Elsevier |
| DOI: | 10.1016/0022-0248(94)91072-3 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1016/0022-0248%2894%2991072-3 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:25 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:23 |
| Citer en APA 7: | Tran, C. A., Masut, R. A., Brebner, J. L., Jouanne, M., Salamancariba, L., Shen, C. C., Sieber, B., & Miri, A. (1994). Atomic layer epitaxy and characterization of InP and InAs/InP heterostructures. Journal of Crystal Growth, 145(1-4), 332-337. https://doi.org/10.1016/0022-0248%2894%2991072-3 |
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