Atomic layer epitaxy and characterization of InP and InAs/InP heterostructures

Tran, C. A.; Masut, Rémo A.; Brebner, J. L.; Jouanne, M.; Salamancariba, L.; Shen, C. C.; Sieber, B.; Miri, A.; Tran, C. A.; Masut, Rémo A.; Brebner, J. L.; Jouanne, M.; Salamancariba, L.; Shen, C. C.; Sieber, B.; Miri, A.

Atomic layer epitaxy and characterization of InP and InAs/InP heterostructures

C. A. Tran, Rémo A. Masut , J. L. Brebner, M. Jouanne, L. Salamancariba, C. C. Shen, B. Sieber, A. Miri

Article de revue (1994)

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Département:

Département de génie physique

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Titre de la revue :

Journal of Crystal Growth ( vol. 145 , no 1-4 )

Maison d'édition:

Elsevier

DOI:

10.1016/0022-0248(94)91072-3

URL officielle:

https://doi.org/10.1016/0022-0248%2894%2991072-3

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:32796

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:25

Dernière modification:

14 oct. 2026 13:20

Citer en APA 7:

Tran, C. A., Masut, R. A., Brebner, J. L., Jouanne, M., Salamancariba, L., Shen, C. C., Sieber, B., & Miri, A. (1994). Atomic layer epitaxy and characterization of InP and InAs/InP heterostructures. Journal of Crystal Growth, 145(1-4), 332-337. https://doi.org/10.1016/0022-0248%2894%2991072-3

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