Atomic layer epitaxy and structural characterization of InP and InAs/InP heterostructures

Tran, C. A.; Masut, Rémo A.; Brebner, J. L.; Jouanne, M.; Tran, C. A.; Masut, Rémo A.; Brebner, J. L.; Jouanne, M.

Atomic layer epitaxy and structural characterization of InP and InAs/InP heterostructures

C. A. Tran, Rémo A. Masut , J. L. Brebner, M. Jouanne

Article de revue (1994)

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Département:

Département de génie physique

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/32797/

Titre de la revue :

Journal of Applied Physics ( vol. 75 , no 5 )

Maison d'édition:

American Institute of Physics

DOI:

10.1063/1.356261

URL officielle:

https://doi.org/10.1063/1.356261

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:32797

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:25

Dernière modification:

14 oct. 2026 13:20

Citer en APA 7:

Tran, C. A., Masut, R. A., Brebner, J. L., & Jouanne, M. (1994). Atomic layer epitaxy and structural characterization of InP and InAs/InP heterostructures. Journal of Applied Physics, 75(5), 2398-2405. https://doi.org/10.1063/1.356261

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