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Temperature dependence of photoluminescence in InAsP/InP strained multiple quantum wells

Y. G. Zhao, Rémo A. Masut, J. L. Brebner, C. A. Tran et J. T. Graham

Article de revue (1994)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/32697/
Titre de la revue: Journal of Applied Physics (vol. 76, no 10)
Maison d'édition: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.358481
URL officielle: https://doi.org/10.1063/1.358481
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:26
Dernière modification: 05 avr. 2024 11:23
Citer en APA 7: Zhao, Y. G., Masut, R. A., Brebner, J. L., Tran, C. A., & Graham, J. T. (1994). Temperature dependence of photoluminescence in InAsP/InP strained multiple quantum wells. Journal of Applied Physics, 76(10), 5921-5926. https://doi.org/10.1063/1.358481

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