Temperature dependence of photoluminescence in InAsP/InP strained multiple quantum wells

Zhao, Y. G.; Masut, Rémo A.; Brebner, J. L.; Tran, C. A.; Graham, J. T.; Zhao, Y. G.; Masut, Rémo A.; Brebner, J. L.; Tran, C. A.; Graham, J. T.

Temperature dependence of photoluminescence in InAsP/InP strained multiple quantum wells

Y. G. Zhao, Rémo A. Masut , J. L. Brebner, C. A. Tran, J. T. Graham

Article de revue (1994)

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Département:

Département de génie physique

Adresse URL de PolyPublie:

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Titre de la revue :

Journal of Applied Physics ( vol. 76 , no 10 )

Maison d'édition:

American Institute of Physics

DOI:

10.1063/1.358481

URL officielle:

https://doi.org/10.1063/1.358481

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:32697

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:26

Dernière modification:

14 oct. 2026 13:20

Citer en APA 7:

Zhao, Y. G., Masut, R. A., Brebner, J. L., Tran, C. A., & Graham, J. T. (1994). Temperature dependence of photoluminescence in InAsP/InP strained multiple quantum wells. Journal of Applied Physics, 76(10), 5921-5926. https://doi.org/10.1063/1.358481

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