Gérald Gagnon, M. Caron, John F. Currie, S. C. Gujrathi, V. Fortin, Y. Tremblay, L. Ouellet, M. Wang, M. Biberger et F. Wong
Communication écrite (1996)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de métallurgie et de génie des matériaux |
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| Département: | Département de génie physique |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/31311/ |
| Nom de la conférence: | 13th International VLSI Multilevel Interconnection (V-MIC) Conference |
| Lieu de la conférence: | Santa Clara, CA, USA |
| Date(s) de la conférence: | 1996-06-18 - 1996-06-20 |
| Maison d'édition: | VMIC Tampa, FL, USA |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:24 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:21 |
| Citer en APA 7: | Gagnon, G., Caron, M., Currie, J. F., Gujrathi, S. C., Fortin, V., Tremblay, Y., Ouellet, L., Wang, M., Biberger, M., & Wong, F. (juin 1996). Effect of the oxidation of TiN barrier on its efficiency as a diffusion barrier in AlSiCu metallization of VLSI devices [Communication écrite]. 13th International VLSI Multilevel Interconnection (V-MIC) Conference, Santa Clara, CA, USA. |
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