Gérald Gagnon, M. Caron, John F. Currie, S. C. Gujrathi, V. Fortin, Y. Tremblay, L. Ouellet, M. Wang, M. Biberger, F. Wong
Communication écrite (1996)
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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de métallurgie et de génie des matériaux
Département:
Adresse URL de PolyPublie:
Nom de la conférence:
13th International VLSI Multilevel Interconnection (V-MIC) Conference
Lieu de la conférence:
Santa Clara, CA, USA
Date(s) de la conférence:
1996-06-18 - 1996-06-20
Maison d'édition:
VMIC Tampa, FL, USA
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:31311
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:24
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:18
Citer en APA 7:
Gagnon, G., Caron, M., Currie, J. F., Gujrathi, S. C., Fortin, V., Tremblay, Y., Ouellet, L., Wang, M., Biberger, M., & Wong, F. (juin 1996). Effect of the oxidation of TiN barrier on its efficiency as a diffusion barrier in AlSiCu metallization of VLSI devices [Communication écrite]. 13th International VLSI Multilevel Interconnection (V-MIC) Conference, Santa Clara, CA, USA.
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