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Un nuage de mots est une représentation visuelle des mots les plus fréquemment utilisés dans un texte ou un ensemble de textes. Les mots apparaissent dans différentes tailles, la taille de chaque mot étant proportionnelle à sa fréquence d'apparition dans le texte. Plus un mot est utilisé fréquemment, plus il apparaît en grand dans le nuage de mots. Cette technique permet de visualiser rapidement les thèmes et les concepts les plus importants d'un texte.
Dans le contexte de cette page, le nuage de mots a été généré à partir des publications de l'auteur {}. Les mots présents dans ce nuage proviennent des titres, résumés et mots-clés des articles et travaux de recherche de cet auteur. En analysant ce nuage de mots, vous pouvez obtenir un aperçu des sujets et des domaines de recherche les plus récurrents et significatifs dans les travaux de cet auteur.Le nuage de mots est un outil utile pour identifier les tendances et les thèmes principaux dans un corpus de textes, facilitant ainsi la compréhension et l'analyse des contenus de manière visuelle et intuitive.
Sundararaman, C. S., Tazlauanu, M., Mihelich, P., Bensaada, A., & Masut, R. A. (avril 1996). 1-10 GHz interface engineered SiNₓ/InP/InGaAs HIGFET technology [Communication écrite]. 1996 8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Schwaebisch-Gmuend, Germany. Lien externe
Sundararaman, C. S., & Currie, J. F. (1995). Characteristics of sinx/inp/in0.53ga0.47as/Inp heterostructure insulated gate (hig)fets with an in2s3 interface control layer. IEEE Transactions on Electron Devices, 42(6), 1197-1199. Lien externe
Sundararaman, C. S., & Currie, J. F. (1995). Performance of interface engineered SiNₓ/ICL/InP/In₀.₅₃Ga₀.₄₇As/InP doped channel HIGFET's. IEEE Electron Device Letters, 16(12), 554-556. Lien externe
Sundararaman, C. S., Milhelich, P., Masut, R. A., & Currie, J. F. (1994). Conductance study of silicon nitride/InP capacitors with an In₂S₃ interface control layer. Applied Physics Letters, 64(17), 2279-2281. Lien externe
Sundararaman, C. S., & Currie, J. F. (décembre 1991). Rapid thermally annealed ohmic contacts to high temperature Zn implanted InP [Communication écrite]. Emerging Optoelectronic Technologies, Bangalore, India. Lien externe