C. S. Sundararaman, P. Milhelich, Rémo A. Masut
et John F. Currie
Article de revue (1994)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/32824/ |
| Titre de la revue: | Applied Physics Letters (vol. 64, no 17) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.111643 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.111643 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:25 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:23 |
| Citer en APA 7: | Sundararaman, C. S., Milhelich, P., Masut, R. A., & Currie, J. F. (1994). Conductance study of silicon nitride/InP capacitors with an In₂S₃ interface control layer. Applied Physics Letters, 64(17), 2279-2281. https://doi.org/10.1063/1.111643 |
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