C. S. Sundararaman, John F. Currie
Article de revue (1995)
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Département:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
IEEE Transactions on Electron Devices
(
vol.
42
,
no
6
)
Maison d'édition:
Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:31703
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:25
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:19
Citer en APA 7:
Sundararaman, C. S., & Currie, J. F. (1995). Characteristics of sinx/inp/in0.53ga0.47as/Inp heterostructure insulated gate (hig)fets with an in2s3 interface control layer. IEEE Transactions on Electron Devices, 42(6), 1197-1199. https://doi.org/10.1109/16.387260
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