C. S. Sundararaman, John F. Currie
Article de revue (1995)
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Département:
Unité de recherche:
Organismes subventionnaires:
NSERC, FCAR Device Team and Research Center
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
IEEE Electron Device Letters
(
vol.
16
,
no
12
)
Maison d'édition:
Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:31704
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:25
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:19
Citer en APA 7:
Sundararaman, C. S., & Currie, J. F. (1995). Performance of interface engineered SiNₓ/ICL/InP/In₀.₅₃Ga₀.₄₇As/InP doped channel HIGFET's. IEEE Electron Device Letters, 16(12), 554-556. https://doi.org/10.1109/55.475585
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