C. S. Sundararaman, M. Tazlauanu, P. Mihelich, A. Bensaada, Rémo A. Masut
Communication écrite (1996)
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Renseignements supplémentaires:
Laboratory for Integrated Sensors and Actuators (LISA)
Département:
Unité de recherche:
Adresse URL de PolyPublie:
Nom de la conférence:
1996 8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
Lieu de la conférence:
Schwaebisch-Gmuend, Germany
Date(s) de la conférence:
1996-04-21 - 1996-04-25
Maison d'édition:
IEEE
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:30854
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:24
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:17
Citer en APA 7:
Sundararaman, C. S., Tazlauanu, M., Mihelich, P., Bensaada, A., & Masut, R. A. (avril 1996). 1-10 GHz interface engineered SiNₓ/InP/InGaAs HIGFET technology [Communication écrite]. 1996 8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Schwaebisch-Gmuend, Germany. https://doi.org/10.1109/iciprm.1996.492389
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