C. S. Sundararaman, M. Tazlauanu, P. Mihelich, A. Bensaada et Rémo A. Masut
Communication écrite (1996)
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| Renseignements supplémentaires: | Laboratory for Integrated Sensors and Actuators (LISA) |
|---|---|
| Département: | Département de génie physique |
| Centre de recherche: | Autre |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/30854/ |
| Nom de la conférence: | 1996 8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials |
| Lieu de la conférence: | Schwaebisch-Gmuend, Germany |
| Date(s) de la conférence: | 1996-04-21 - 1996-04-25 |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/iciprm.1996.492389 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/iciprm.1996.492389 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:24 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:20 |
| Citer en APA 7: | Sundararaman, C. S., Tazlauanu, M., Mihelich, P., Bensaada, A., & Masut, R. A. (avril 1996). 1-10 GHz interface engineered SiNₓ/InP/InGaAs HIGFET technology [Communication écrite]. 1996 8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Schwaebisch-Gmuend, Germany. https://doi.org/10.1109/iciprm.1996.492389 |
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