Rapid thermally annealed ohmic contacts to high temperature Zn implanted InP

C. S. Sundararaman et John F. Currie

Communication écrite (1991)

Un lien externe est disponible pour ce document

Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/44506/
Nom de la conférence:	Emerging Optoelectronic Technologies
Lieu de la conférence:	Bangalore, India
Date(s) de la conférence:	1991-12-16
Maison d'édition:	SPIE
DOI:	10.1117/12.636908
URL officielle:	https://doi.org/10.1117/12.636908
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:26
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:43

Citer en APA 7:	Sundararaman, C. S., & Currie, J. F. (décembre 1991). Rapid thermally annealed ohmic contacts to high temperature Zn implanted InP [Communication écrite]. Emerging Optoelectronic Technologies, Bangalore, India. https://doi.org/10.1117/12.636908
APA 7 (HTML)ASCII CitationAtomBibTeXDOIsDublin CoreEndNote (.ENW)MARC (ISO 2709/UTF-8) (.MRC)MARC (UTF-8) (.MRK8)MARC XMLMPEG-21 DIDLMultiline CSVOAI-ORE Resource Map (Atom Format)OPENAIREOpenURL ContextObjectOpenURL ContextObject in SpanRDF+N-TriplesRDF+N3RDF+XMLReferReference Manager (.RIS)Répertoire des publications (EndNote)Simple Metadata

Statistiques

Actions réservées au personnel