 | Monter d'un niveau |
Réseau de collaborationCe graphique trace les liens entre tous les collaborateurs des publications de {} figurant sur cette page.
Chaque lien représente une collaboration sur la même publication. L'épaisseur du lien représente le nombre de collaborations.
Utilisez la molette de la souris ou les gestes de défilement pour zoomer à l'intérieur du graphique.
Vous pouvez cliquer sur les noeuds et les liens pour les mettre en surbrillance et déplacer les noeuds en les glissant.
Enfoncez la touche "Ctrl" ou la touche "⌘" en cliquant sur les noeuds pour ouvrir la liste des publications de cette personne.
Turcotte-Tremblay, P., Guihard, M., Gaudet, S., Chicoine, M., Lavoie, C., Desjardins, P., & Schiettekatte, F. (2013). Thin film Ni-Si solid-state reactions: Phase formation sequence on amorphized Si. Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena, 31(5). Lien externe
Gaudet, S., De Keyser, K., Lambert-Milot, S., Jordan-Sweet, J., Detavernier, C., Lavoie, C., & Desjardins, P. (2013). Three dimensional reciprocal space measurement by x-ray diffraction using linear and area detectors: Applications to texture and defects determination in oriented thin films and nanoprecipitates. Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 31(2). Lien externe
Lambert-Milot, S., Gaudet, S., Lacroix, C., Ménard, D., Masut, R. A., Lavoie, C., & Desjardins, P. (2012). MnP nanoclusters embedded in GaP epitaxial films grown by organometallic vapor-phase epitaxy: A reciprocal space mapping and transmission electron microscopy study. Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 30(6), 22-22. Lien externe
Zhang, Z., Yang, B., Zhu, Y., Gaudet, S., Rossnagel, S., Kellock, A. J., Ozcan, A., Murray, C., Desjardins, P., Zhang, S.-L., Jordan-Sweet, J., & Lavoie, C. (2010). Exploitation of a self-limiting process for reproducible formation of ultrathin Ni1-xPtx silicide films. Applied Physics Letters, 97(25), 252108-252108. Lien externe
Zhang, Z., Zhang, S.-L., Yang, B., Zhu, Y., Rossnagel, S. M., Gaudet, S., Kellock, A. J., Jordan-Sweet, J., & Lavoie, C. (2010). Morphological stability and specific resistivity of sub-10 nm silicide films of Ni1-xPtx on Si substrate. Applied Physics Letters, 96(7), 071915-071915. Lien externe
Leroy, W. P., Detavernier, C., Van Meirhaeghe, R. L., & Lavoie, C. (2007). Thin Film Solid-State Reactions Forming Carbides as Contact Materials for Carbon-Containing Semiconductors. Journal of Applied Physics, 101(5), 053714-1. Lien externe
Kittl, J. A., Pawlak, M. A., Torregiani, C., Lauwers, A., Demeurisse, C., Vrancken, C., Absil, P. P., Biesemans, S., Coia, C., Detavernier, C., Jordan-Sweet, J., & Lavoie, C. (2007). Transient and End Silicide Phase Formation in Thin Film Ni/Polycrystalline-Si Reactions for Fully Silicided Gate Applications. Applied Physics Letters, 91(17). Lien externe
Leroy, W. P., Detavernier, C., Van Meirhaeghe, R. L., Kellock, A. J., & Lavoie, C. (2006). Solid-State Formation of Titanium Carbide and Molybdenum Carbide as Contacts for Carbon-Containing Semiconductors. Journal of Applied Physics, 99(6). Lien externe
