Documents dont l'auteur est "Glass, G."

Réseau de collaboration

Veuillez patienter

Aide

Ce graphique trace les liens entre tous les collaborateurs des publications de {} figurant sur cette page.

Chaque lien représente une collaboration sur la même publication. L'épaisseur du lien représente le nombre de collaborations.

Utilisez la molette de la souris ou les gestes de défilement pour zoomer à l'intérieur du graphique.

Vous pouvez cliquer sur les noeuds et les liens pour les mettre en surbrillance et déplacer les noeuds en les glissant.

Enfoncez la touche "Ctrl" ou la touche "⌘" en cliquant sur les noeuds pour ouvrir la liste des publications de cette personne.

G

Glass, G., Kim, H., Desjardins, P., Taylor, N., Spila, T., Lu, Q., & Greene, J. E. (2000). Ultra-high B doping (< 10^22 cm-3) during Si(001) gas-source molecular-beam epitaxy: B incorporation, electrical activation, and hole transport. Physical review, 61(11), 7628-7644. Lien externe

K

Kim, H., Glass, G., Soares, J. A. N. T., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2001). Temperature-modulated Si(001): as gas-source molecular beam epitaxy: growth kinetics and As incorporation. Applied Physics Letters, 79(20), 3263-3265. Lien externe

Kim, H., Glass, G., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2001). Ultra-High doped Si1-xGex(001):B gas-source molecular beam epitaxy: boron surface segregation and its effect on film growth kinetics. Journal of Applied Physics, 89(1), 194-205. Lien externe

Kim, H., Glass, G., Soares, J. A. N. T., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2000). Arsenic incorporation during Si(001): As gas-source molecular-beam epitaxy from Si2H6 and AsH3: effects on film growth kinetics. Journal of Applied Physics, 88(12), 7067-7078. Lien externe

S

Soares, J. A. N. T., Kim, H., Glass, G., Desjardins, P., & Greene, J. E. (1999). Arsenic-doped Si(001) gas-source molecular-beam epitaxy: Growth kinetics and transport properties. Applied Physics Letters, 74(9), 1290-1292. Lien externe

T

Taylor, N., Kim, H., Spila, T., Eades, J. A., Glass, G., Desjardins, P., & Greene, J. E. (1999). Growth of Si₁₋ₓGeₓ(011) on Si(011)16x2 by gas-source molecular beam epitaxy: Growth kinetics, Ge incorporation, and surface phase transitions. Journal of Applied Physics, 85(1), 501-511. Lien externe

V

Vailionis, A., Cho, B., Glass, G., Desjardins, P., Cahill, D. G., & Greene, J. E. (2000). Pathway for the strain-driven two-dimensional to three-dimensional transition during growth of Ge on Si(001). Physical Review Letters, 85(17), 3672-3675. Lien externe