H. Kim, G. Glass, Patrick Desjardins
, J. E. Greene
Article de revue (2001)
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Département:
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Titre de la revue
:
Journal of Applied Physics
(
vol.
89
,
no
1
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:27303
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:21
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:03
Citer en APA 7:
Kim, H., Glass, G., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2001). Ultra-High doped Si1-xGex(001):B gas-source molecular beam epitaxy: boron surface segregation and its effect on film growth kinetics. Journal of Applied Physics, 89(1), 194-205. https://doi.org/10.1063/1.1330244
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