H. Kim, G. Glass, Patrick Desjardins
et J. E. Greene
Article de revue (2001)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/27303/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 89, no 1) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.1330244 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.1330244 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:21 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:14 |
| Citer en APA 7: | Kim, H., Glass, G., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2001). Ultra-High doped Si1-xGex(001):B gas-source molecular beam epitaxy: boron surface segregation and its effect on film growth kinetics. Journal of Applied Physics, 89(1), 194-205. https://doi.org/10.1063/1.1330244 |
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