Arsenic incorporation during Si(001): As gas-source molecular-beam epitaxy from Si2H6 and AsH3: effects on film growth kinetics

Kim, H.; Glass, G.; Soares, J. A. N. T.; Desjardins, Patrick; Greene, J. E.; Kim, H.; Glass, G.; Soares, J. A. N. T.; Desjardins, Patrick; Greene, J. E.

Arsenic incorporation during Si(001): As gas-source molecular-beam epitaxy from Si2H6 and AsH3: effects on film growth kinetics

H. Kim, G. Glass, J. A. N. T. Soares, Patrick Desjardins , J. E. Greene

Article de revue (2000)

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Renseignements supplémentaires:

Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux

Département:

Département de génie physique

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/28083/

Titre de la revue :

Journal of Applied Physics ( vol. 88 , no 12 )

Maison d'édition:

American Institute of Physics

DOI:

10.1063/1.1324701

URL officielle:

https://doi.org/10.1063/1.1324701

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:28083

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:22

Dernière modification:

14 oct. 2026 13:04

Citer en APA 7:

Kim, H., Glass, G., Soares, J. A. N. T., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2000). Arsenic incorporation during Si(001): As gas-source molecular-beam epitaxy from Si2H6 and AsH3: effects on film growth kinetics. Journal of Applied Physics, 88(12), 7067-7078. https://doi.org/10.1063/1.1324701

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