Documents dont l'auteur est "Soares, J. A. N. T."

Réseau de collaboration

Veuillez patienter

Aide

Ce graphique trace les liens entre tous les collaborateurs des publications de {} figurant sur cette page.

Chaque lien représente une collaboration sur la même publication. L'épaisseur du lien représente le nombre de collaborations.

Utilisez la molette de la souris ou les gestes de défilement pour zoomer à l'intérieur du graphique.

Vous pouvez cliquer sur les noeuds et les liens pour les mettre en surbrillance et déplacer les noeuds en les glissant.

Enfoncez la touche "Ctrl" ou la touche "⌘" en cliquant sur les noeuds pour ouvrir la liste des publications de cette personne.

F

Foo, Y. L., Bratland, K. A., Cho, B., Soares, J. A. N. T., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2002). C incorporation and segregation during Si₁₋yCy/Si(001) gas-source molecular beam epitaxy from Si₂H₆ and CH₃SiH₃. Surface Science, 513(3), 475-484. Lien externe

K

Kim, H., Glass, G., Soares, J. A. N. T., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2001). Temperature-modulated Si(001): as gas-source molecular beam epitaxy: growth kinetics and As incorporation. Applied Physics Letters, 79(20), 3263-3265. Lien externe

Kim, H., Glass, G., Soares, J. A. N. T., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2000). Arsenic incorporation during Si(001): As gas-source molecular-beam epitaxy from Si2H6 and AsH3: effects on film growth kinetics. Journal of Applied Physics, 88(12), 7067-7078. Lien externe

P

Park, S. Y., D'Arcy-Gall, J., Gall, D., Soares, J. A. N. T., Kim, Y.-W., Kim, H., Desjardins, P., Greene, J. E., & Bishop, S. G. (2002). Carbon Incorporation Pathways and Lattice Sites in Si₁₋yCy Alloys Grown on Si(001) by Molecular-Beam Epitaxy. Journal of Applied Physics, 91(9), 5716-5727. Lien externe

S

Soares, J. A. N. T., Kim, H., Glass, G., Desjardins, P., & Greene, J. E. (1999). Arsenic-doped Si(001) gas-source molecular-beam epitaxy: Growth kinetics and transport properties. Applied Physics Letters, 74(9), 1290-1292. Lien externe