Carbon Incorporation Pathways and Lattice Sites in Si₁₋yCy Alloys Grown on Si(001) by Molecular-Beam Epitaxy

Park, S. Y.; D'Arcy-Gall, J.; Gall, D.; Soares, J. A. N. T.; Kim, Y.-W.; Kim, H.; Desjardins, Patrick; Greene, J. E.; Bishop, S. G.; Park, S. Y.; D'Arcy-Gall, J.; Gall, D.; Soares, J. A. N. T.; Kim, Y.-W.; Kim, H.; Desjardins, Patrick; Greene, J. E.; Bishop, S. G.

Carbon Incorporation Pathways and Lattice Sites in Si₁₋yCy Alloys Grown on Si(001) by Molecular-Beam Epitaxy

S. Y. Park, J. D'Arcy-Gall, D. Gall, J. A. N. T. Soares, Y.-W. Kim, H. Kim, Patrick Desjardins , J. E. Greene, S. G. Bishop

Article de revue (2002)

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Département:

Département de génie physique

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/26385/

Titre de la revue :

Journal of Applied Physics ( vol. 91 , no 9 )

Maison d'édition:

American Institute of Physics

DOI:

10.1063/1.1465122

URL officielle:

https://doi.org/10.1063/1.1465122

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:26385

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:20

Dernière modification:

14 oct. 2026 13:01

Citer en APA 7:

Park, S. Y., D'Arcy-Gall, J., Gall, D., Soares, J. A. N. T., Kim, Y.-W., Kim, H., Desjardins, P., Greene, J. E., & Bishop, S. G. (2002). Carbon Incorporation Pathways and Lattice Sites in Si₁₋yCy Alloys Grown on Si(001) by Molecular-Beam Epitaxy. Journal of Applied Physics, 91(9), 5716-5727. https://doi.org/10.1063/1.1465122

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