C incorporation and segregation during Si₁₋yCy/Si(001) gas-source molecular beam epitaxy from Si₂H₆ and CH₃SiH₃

Foo, Y. L.; Bratland, K. A.; Cho, B.; Soares, J. A. N. T.; Desjardins, Patrick; Greene, J. E.; Foo, Y. L.; Bratland, K. A.; Cho, B.; Soares, J. A. N. T.; Desjardins, Patrick; Greene, J. E.

C incorporation and segregation during Si₁₋yCy/Si(001) gas-source molecular beam epitaxy from Si₂H₆ and CH₃SiH₃

Y. L. Foo, K. A. Bratland, B. Cho, J. A. N. T. Soares, Patrick Desjardins , J. E. Greene

Article de revue (2002)

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Département:

Département de génie physique

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Titre de la revue :

Surface Science ( vol. 513 , no 3 )

Maison d'édition:

Elsevier

DOI:

10.1016/s0039-6028(02)01821-6

URL officielle:

https://doi.org/10.1016/s0039-6028%2802%2901821-6

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:26650

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:20

Dernière modification:

14 oct. 2026 13:02

Citer en APA 7:

Foo, Y. L., Bratland, K. A., Cho, B., Soares, J. A. N. T., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2002). C incorporation and segregation during Si₁₋yCy/Si(001) gas-source molecular beam epitaxy from Si₂H₆ and CH₃SiH₃. Surface Science, 513(3), 475-484. https://doi.org/10.1016/s0039-6028%2802%2901821-6

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