J. A. N. T. Soares, H. Kim, G. Glass, Patrick Desjardins
, J. E. Greene
Article de revue (1999)
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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux
Département:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Applied Physics Letters
(
vol.
74
,
no
9
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:28580
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:22
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:05
Citer en APA 7:
Soares, J. A. N. T., Kim, H., Glass, G., Desjardins, P., & Greene, J. E. (1999). Arsenic-doped Si(001) gas-source molecular-beam epitaxy: Growth kinetics and transport properties. Applied Physics Letters, 74(9), 1290-1292. https://doi.org/10.1063/1.123527
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