H. Kim, G. Glass, J. A. N. T. Soares, Patrick Desjardins
et J. E. Greene
Article de revue (2001)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/27302/ |
| Titre de la revue: | Applied Physics Letters (vol. 79, no 20) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.1415420 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.1415420 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:21 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:14 |
| Citer en APA 7: | Kim, H., Glass, G., Soares, J. A. N. T., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2001). Temperature-modulated Si(001): as gas-source molecular beam epitaxy: growth kinetics and As incorporation. Applied Physics Letters, 79(20), 3263-3265. https://doi.org/10.1063/1.1415420 |
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