H. Kim, G. Glass, J. A. N. T. Soares, Patrick Desjardins
, J. E. Greene
Article de revue (2001)
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Département:
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Titre de la revue
:
Applied Physics Letters
(
vol.
79
,
no
20
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:27302
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:21
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:03
Citer en APA 7:
Kim, H., Glass, G., Soares, J. A. N. T., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2001). Temperature-modulated Si(001): as gas-source molecular beam epitaxy: growth kinetics and As incorporation. Applied Physics Letters, 79(20), 3263-3265. https://doi.org/10.1063/1.1415420
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