Ultra-high B doping (< 10^22 cm-3) during Si(001) gas-source molecular-beam epitaxy: B incorporation, electrical activation, and hole transport

G. Glass, H. Kim, Patrick Desjardins, N. Taylor, T. Spila, Q. Lu et J. E. Greene

Article de revue (2000)

Un lien externe est disponible pour ce document

Renseignements supplémentaires:	Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux
Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/28155/
Titre de la revue:	Physical review (vol. 61, no 11)
Maison d'édition:	American Physical Society
DOI:	10.1103/physrevb.61.7628
URL officielle:	https://doi.org/10.1103/physrevb.61.7628
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:21
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:16

Citer en APA 7:	Glass, G., Kim, H., Desjardins, P., Taylor, N., Spila, T., Lu, Q., & Greene, J. E. (2000). Ultra-high B doping (< 10^22 cm-3) during Si(001) gas-source molecular-beam epitaxy: B incorporation, electrical activation, and hole transport. Physical review, 61(11), 7628-7644. https://doi.org/10.1103/physrevb.61.7628
APA 7 (HTML)ASCII CitationAtomBibTeXDOIsDublin CoreEndNote (.ENW)MARC (ISO 2709/UTF-8) (.MRC)MARC (UTF-8) (.MRK8)MARC XMLMPEG-21 DIDLMultiline CSVOAI-ORE Resource Map (Atom Format)OPENAIREOpenURL ContextObjectOpenURL ContextObject in SpanRDF+N-TriplesRDF+N3RDF+XMLReferReference Manager (.RIS)Répertoire des publications (EndNote)Simple Metadata

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document