G. Glass, H. Kim, Patrick Desjardins
, N. Taylor, T. Spila, Q. Lu, J. E. Greene
Article de revue (2000)
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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux
Département:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Physical review
(
vol.
61
,
no
11
)
Maison d'édition:
American Physical Society
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:28155
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:21
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:04
Citer en APA 7:
Glass, G., Kim, H., Desjardins, P., Taylor, N., Spila, T., Lu, Q., & Greene, J. E. (2000). Ultra-high B doping (< 10^22 cm-3) during Si(001) gas-source molecular-beam epitaxy: B incorporation, electrical activation, and hole transport. Physical review, 61(11), 7628-7644. https://doi.org/10.1103/physrevb.61.7628
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