Pathway for the strain-driven two-dimensional to three-dimensional transition during growth of Ge on Si(001)

Vailionis, A.; Cho, B.; Glass, G.; Desjardins, Patrick; Cahill, D. G.; Greene, J. E.; Vailionis, A.; Cho, B.; Glass, G.; Desjardins, Patrick; Cahill, D. G.; Greene, J. E.

Pathway for the strain-driven two-dimensional to three-dimensional transition during growth of Ge on Si(001)

A. Vailionis, B. Cho, G. Glass, Patrick Desjardins , D. G. Cahill, J. E. Greene

Article de revue (2000)

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Renseignements supplémentaires:

Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux

Département:

Département de génie physique

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/27771/

Titre de la revue :

Physical Review Letters ( vol. 85 , no 17 )

Maison d'édition:

American Physical Society

DOI:

10.1103/physrevlett.85.3672

URL officielle:

https://doi.org/10.1103/physrevlett.85.3672

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:27771

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:22

Dernière modification:

14 oct. 2026 13:03

Citer en APA 7:

Vailionis, A., Cho, B., Glass, G., Desjardins, P., Cahill, D. G., & Greene, J. E. (2000). Pathway for the strain-driven two-dimensional to three-dimensional transition during growth of Ge on Si(001). Physical Review Letters, 85(17), 3672-3675. https://doi.org/10.1103/physrevlett.85.3672

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