Documents dont l'auteur est "Cahill, D. G."

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B

Bratland, K. A., Spila, T., Cahill, D. G., Greene, J. E., & Desjardins, P. (2011). Continuum model of surface roughening and epitaxial breakdown during low-temperature Ge(001) molecular beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 109(6). Lien externe

K

Kodambaka, S., Petrova, V., Vailionis, A., Desjardins, P., Cahill, D. G., Petrov, I., & Greene, J. E. (2001). TiN(001) and TiN(111) island coarsening kinetics: In-situ scanning tunneling microscopy studies. Thin Solid Films, 392(2), 164-168. Lien externe

Kodambaka, S., Petrova, V., Vailionis, P., Desjardins, P., Cahill, D. G., Petrov, I., & Greene, J. E. (2000). In-situ high-temperature scanning tunneling microscopy studies of two-dimensional island decay kinetics on atomically flat smooth TiN(001). Surface Review and Letters, 7(05n06), 589-593. Lien externe

Karr, B. W., Petrov, I., Desjardins, P., Cahill, D. G., & Greene, J. E. (1997). In situ scanning tunneling microscopy studies of the evolution of surface morphology ans microstructure in epitaxial TiN(001) grown by ultra-high-vacuum reactive magnetron sputtering. Surface and Coatings Technology, 94-95, 403-408. Lien externe

S

Spila, T., Desjardins, P., Vailionis, A., Kim, H., Taylor, N., Cahill, D. G., Greene, J. E., Guillon, S., & Masut, R. A. (2002). Hydrogen-mediated quenching of strain-induced surface roughening during gas-source molecular beam epitaxy of fully-coherent Si₀.₇ Ge₀.₃ layers on Si(001). Journal of Applied Physics, 91(6), 3579-3588. Lien externe

V

Vailionis, A., Cho, B., Glass, G., Desjardins, P., Cahill, D. G., & Greene, J. E. (2000). Pathway for the strain-driven two-dimensional to three-dimensional transition during growth of Ge on Si(001). Physical Review Letters, 85(17), 3672-3675. Lien externe