T. Spila, Patrick Desjardins, A. Vailionis, H. Kim, N. Taylor, D. G. Cahill, J. E. Greene, S. Guillon et Rémo A. Masut
Article de revue (2002)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie physique |
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URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/26277/ |
Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 91, no 6) |
Maison d'édition: | American Institute of Physics |
DOI: | 10.1063/1.1448680 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.1448680 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:21 |
Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:13 |
Citer en APA 7: | Spila, T., Desjardins, P., Vailionis, A., Kim, H., Taylor, N., Cahill, D. G., Greene, J. E., Guillon, S., & Masut, R. A. (2002). Hydrogen-mediated quenching of strain-induced surface roughening during gas-source molecular beam epitaxy of fully-coherent Si₀.₇ Ge₀.₃ layers on Si(001). Journal of Applied Physics, 91(6), 3579-3588. https://doi.org/10.1063/1.1448680 |
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