Hydrogen-mediated quenching of strain-induced surface roughening during gas-source molecular beam epitaxy of fully-coherent Si₀.₇ Ge₀.₃ layers on Si(001)

Spila, T.; Desjardins, Patrick; Vailionis, A.; Kim, H.; Taylor, N.; Cahill, D. G.; Greene, J. E.; Guillon, S.; Masut, Rémo A.; Spila, T.; Desjardins, Patrick; Vailionis, A.; Kim, H.; Taylor, N.; Cahill, D. G.; Greene, J. E.; Guillon, S.; Masut, Rémo A.

Hydrogen-mediated quenching of strain-induced surface roughening during gas-source molecular beam epitaxy of fully-coherent Si₀.₇ Ge₀.₃ layers on Si(001)

T. Spila, Patrick Desjardins , A. Vailionis, H. Kim, N. Taylor, D. G. Cahill, J. E. Greene, S. Guillon, Rémo A. Masut

Article de revue (2002)

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Département:

Département de génie physique

Unité de recherche:

GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/26277/

Titre de la revue :

Journal of Applied Physics ( vol. 91 , no 6 )

Maison d'édition:

American Institute of Physics

DOI:

10.1063/1.1448680

URL officielle:

https://doi.org/10.1063/1.1448680

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:26277

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:21

Dernière modification:

14 oct. 2026 13:01

Citer en APA 7:

Spila, T., Desjardins, P., Vailionis, A., Kim, H., Taylor, N., Cahill, D. G., Greene, J. E., Guillon, S., & Masut, R. A. (2002). Hydrogen-mediated quenching of strain-induced surface roughening during gas-source molecular beam epitaxy of fully-coherent Si₀.₇ Ge₀.₃ layers on Si(001). Journal of Applied Physics, 91(6), 3579-3588. https://doi.org/10.1063/1.1448680

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